[发明专利]光学读取头取样介面系统无效

专利信息
申请号: 200410063593.2 申请日: 2004-07-12
公开(公告)号: CN1588549A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 刘智民 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: G11B21/00 分类号: G11B21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 文琦;陈肖梅
地址: 台湾省台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光学读取头取样介面系统,包含光学读取头、P型金氧半导体(PMOS)、提升电压电路以及取样保持电路。光学读取头输出一读片电压与一烧录电压之一。PMOS以栅极接收栅极电压,使PMOS为导通状态,将读片电压传送到取样保持电路,另内部基底部分接收控制电压。提升电压电路用以提高该栅极电压到大于该控制电压,使PMOS由导通状态切换到隔离状态,以阻隔该烧录电压。
搜索关键词: 光学 读取 取样 介面 系统
【主权项】:
1.一种光学读取头取样介面系统,其特征在于,包含:一光学读取头,输出一读片电压与一烧录电压之一;一P型金氧半导体PMOS,具有一第一源/漏极接收该读片电压与该烧录电压之一,一栅极接收一栅极电压,用以使该PMOS的一第二源/漏极与该第一源/漏极为导通状态,一内部基底部分接收一控制电压;一提升电压电路,连接至该PMOS的栅极,用以提高该栅极电压到大于该控制电压,使该第一源/漏极与该第二源/漏极由导通状态切换到隔离状态,以阻隔该烧录电压;以及一取样保持电路,连接至该第二源/漏极,对该读片电压进行取样保持。
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