[发明专利]光生伏打元件的制造方法

摘要

一种光生伏打元件的制造方法，具有至少将基板上依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压，通过对该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其中，通过将施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到0V或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压时的电压梯度ΔV/Δt控制为－15～－0.1V/s，可靠地选择性除去分流部，而不增大分流路径。

主权项

1.一种光生伏打元件的制造方法，具有通过将在基板上至少依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压使该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去由该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其特征在于：施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到0V或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压的步骤中的电压梯度为-15V/s～～0.1V/s。