[发明专利]用于控制掺碳氧化物薄膜的蚀刻偏差的方法无效
| 申请号： | 03800444.5 | 申请日： | 2003-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1533597A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 戴维·格雷西亚斯;许乌恩－莫格·帕克;维贾雅库马尔·拉马钱德拉拉奥 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;吴湘文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于控制掺碳氧化物薄膜的蚀刻偏差的方法，包括在循环的两步骤工艺中进行蚀刻，即掺碳氧化物(CDO)去除工艺，所述CDO去除工艺包括第一气体，以便在CDO层中蚀刻出沟槽。跟在CDO去除工艺后面的是聚合物沉积工艺。聚合物沉积工艺包括在反应器中引入第二气体，以便将聚合物沉积在CDO层的沟槽中。第一气体包括第一分子，第一分子具有碳原子对氟原子的第一比例，第二气体包括第二分子，第二分子具有碳原子对氟原子的第二比例，使得碳原子对氟原子的第二比例大于碳原子对氟原子的第一比例。可以重复上述工艺，从而蚀刻出最终结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 氧化物 薄膜 蚀刻 偏差 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：进行掺碳氧化物去除工艺，所述掺碳氧化物去除工艺包括引入第一气体，以便在掺碳氧化物层中形成沟槽；以及进行聚合物沉积工艺，所述聚合物沉积工艺包括引入第二气体，以便将聚合物沉积在所述掺碳氧化物层的沟槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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