[发明专利]连接装置及连接方法无效

专利信息
申请号: 03160374.2 申请日: 2003-09-29
公开(公告)号: CN1507000A 公开(公告)日: 2004-06-23
发明(设计)人: 清水映吾;狩田利一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01J29/02 分类号: H01J29/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 温大鹏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种连接装置,即使在彩色显像管受冲击的场合,也不会产生色不均匀和色差。在彩色显像管上,为了将设有掩膜的框架(6)保持在面板(1)内面的规定位置上的方法是:设置通过固定于面板(1)上的双头螺栓(9)而接合的板状弹性体(8),和固定于框架(6)上的板状弹性体(11)、及设在它们之间的板状弹性体(10);在板状弹性体(10)的一部分上设置有向板状弹性体(8)的方向突出的弯曲部;在弯曲部和板状弹性体(8)的斜面之间设1.0mm以下的间隙;在板状弹性体(10)的前端部和板状弹性体11之间设1.0mm以下的间隙。
搜索关键词: 连接 装置 方法
【主权项】:
1.一种连接装置,是将第一结构体和第二结构体连接起来的连接装置,其特征在于,它具有:与第一结构体连接的、具有一端和另一端的第一连接部,与第二结构体连接、具有一端及另一端、在一端和另一端之间具有向规定方向突出的突出部分的第二连接部,第一连接部的一端与第二连接部的一端固定在一起,第二连接部的另一端配置在离开第一连接部的另一端的规定距离的位置上,第二连接部的突出部分向第一连接部的方向突出,从第一连接部的特定部分至第二连接部的特定部分的距离,为从第一连接部的另一端至第二连接部的另一端的距离的十分之一以下,以这种方式配置第一连接部和第二连接部。
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  • 2012-03-12 - 2012-07-18 - H01J29/02
  • 一种场发射元件,包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、第三电极以及图案化介电层。第一电极设置于第一基板面对第二基板的第一内表面上。第二电极、第三电极以及图案化介电层设置于第二基板面对第一基板的第二内表面上。图案化介电层设置于第二电极与第三电极之间且与第二电极以及第三电极互相分离。图案化介电层的第一厚度大于第二电极的第二厚度,且图案化介电层的第一厚度大于第三电极的第三厚度。
  • 像素结构与场发射显示器-201110396582.6
  • 陈盈颖;王仓鸿;刘志伟 - 友达光电股份有限公司
  • 2011-11-29 - 2012-05-02 - H01J29/02
  • 本发明提供一种像素结构,设置于一第一基板上,适用于一场发射显示器,并包括扫描线、数据线以及绝缘结构层。扫描线具有沿第一方线延伸的扫描主线以及连接扫描主线的扫描分支。数据线具有沿第二方向延伸的数据主线以及连接数据主线的数据分支。扫描主线与数据主线相交重叠而定义出主线重叠区,且扫描分支与数据分支重叠以定义出显示发射区。绝缘结构层配置于扫描线与数据线之间,且在主线重叠区的数据主线与绝缘结构层于具有至少一第一开孔,且在显示发射区的数据分支与绝缘结构层于具有至少一第二开孔。本发明的适用于场发射显示器的像素结构中,扫描线与数据线之间的寄生电容可以显著地下降而使像素结构具有理想的电性特性。
  • 一种碳纳米材料复合场致电子发射膜及其制备方法-201110142206.4
  • 郭太良;叶芸;洪春燕;林贺;肖晓晶 - 福州大学
  • 2011-05-30 - 2011-11-16 - H01J29/02
  • 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜,其包括碳纳米材料,含量为10%-70%;至少一种选自ZnO,SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒,含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器,可以简化生产工艺,降低制造成本,提高工作可靠性,提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。
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