[发明专利]高纯8－羟基喹啉铝类化合物及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 03112443.7 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1483724A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C07D215/26 | 分类号： | C07D215/26;H01L33/00;H05B33/14 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 高纯8－羟基喹啉铝类化合物及其制备方法与应用，属于有机电致发光材料和器件技术领域。高纯8－羟基喹啉铝类化合物是利用LiAlH4和含活性氢的化合物在室温下反应获得的，制备方法包括在惰性气氛保护下，将8－羟基喹啉或2－甲基－8－羟基喹啉溶入有机溶剂中，使其完全溶解后，将化学计量比的LiAlH4加入到上述溶液中，反应结束将溶液过滤，所得固体经提纯干燥。本发明的高纯8－羟基喹啉铝类化合物用于电致发光器件的电子输送层和发光层，单色、多色、彩色或白色发光器件，或红色发光器件及磷光器件的基底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 羟基 喹啉 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.高纯8-羟基喹啉铝类化合物，其特征在于，是利用LiAlH4和含活性氢的化合物在室温下反应获得的，化学反应式如下：![]()
上述化学反应式中，取代基R1-R6为H，C1-C20的烷基，或环烷基，卤素，含N，O，S等杂原子基团。
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