[发明专利]利用经反应的硼硅酸盐混合物的连结结构无效
| 申请号： | 02804956.X | 申请日： | 2002-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1491432A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | J·D·帕森斯 | 申请（专利权）人： | 希脱鲁尼克斯 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 谢喜堂 |
| 地址： | 美国内*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 环境感测器(2)和其他本体连同相关联的导线(6)藉由经反应的硼硅酸盐混合物(RBM)(18，20)安装在可氧化的基体(4)上供高温应用，在高温反应过程中，RBM藉由形成在RBM和基体间的氧化界面(22)使本体相对于基体固定。亦可以氧化本体形成氧化界面(24)而提供更进一步安装强度。该RBM是B2O3－SiO2混合物，为了黏着目的，B2O3部分至少为70wt％，最好至少为75wt％，而为了包胶目的，至少为50wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 反应 硅酸盐 混合物 连结 结构 | ||
【主权项】：
1.一种包装系统，其包括：一可氧化的基体(4)，一本体(16)，其紧固在所述基体上，及一经反应的硼硅酸盐混合物(RBM)(18，20)，其经由与基体形成一氧化界面(22)使所述本体紧固在所述基体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
