[发明专利]限制声能横向传播的微加工的超声换能器基片有效
| 申请号： | 02803085.0 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1551853A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | D·G·米勒 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B06B1/00;B81B3/00;G01H11/06;B06B1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平;章社杲 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种减少或者消除声能横向传播的微加工的超声换能器(MUT)基片，其包括形成在基片上并邻近MUT元件孔，该孔通常称作通孔。MUT基片中的通孔减少或者消除横向移动的声能在MUT基片中的传播。通孔可掺有杂质，以便在MUT元件和存在于集成电路基片表面上的电路之间提供电连接，MUT基片装接在该集成电路基片上。用以在MUT元件和存在于集成电路基片表面上的电路之间提供电连接，MUT基片装接在集成电路基片的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 限制 横向 传播 加工 超声 换能器基片 | ||
【主权项】：
1.一种超声换能器，其包括：多个形成在第一基片上的微加工的超声换能器元件，该第一基片包括第一表面和第二表面；和多个与每一个该微加工的超声换能器元件相关的通孔，其中该通孔减少在该第一基片中横向移动的声能的传播。
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