[发明专利]陶瓷介质材料及其制备方法和用于生产陶瓷电容器的方法无效
申请号: | 02151904.8 | 申请日: | 2002-11-08 |
公开(公告)号: | CN1420105A | 公开(公告)日: | 2003-05-28 |
发明(设计)人: | 陈兆藩;杨成锐;唐亦斌;魏汉光;张火光;郭海明;唐洪涛 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技集团有限公司 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/64;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 何燕玲 |
地址: | 526020 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及陶瓷介质材料及其制备方法和用于生产陶瓷电容器的方法。所述陶瓷介质材料采用的主成分为包含Mg、Ca、Sr、Ba金属元素及Zr和O元素的复合氧化物,以式MgaCabSrcBa1-a-b-cZrdO1+2d表示,式中0≤a≤1,0≤b≤1,0≤c≤1,0.8≤d≤1.2;主成分经过湿法球磨细化、干燥、粉碎后在1200℃至1300℃煅烧2-3小时,加入烧结助剂,粉碎、烧结至材料符合EIA标准COG温度特性;该介质材料可以生产多层片式陶瓷电容器,从而实现以贱金属镍或镍合金作为内电极的多层片式陶瓷电容器制造要求。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法 用于 生产 电容器 | ||
【主权项】:
1、一种抗还原热稳定陶瓷介质材料的制备方法,其特征在于采用的主成分为包含Mg、Ca、Sr、Ba金属元素及Zr和O元素的复合氧化物,以式MgaCabSrcBa1-a-b-cZrdO1+2d表示,式中0≤a≤1,0≤b≤1,0≤c≤1,0.8≤d≤1.2;基于该主成分,该陶瓷介质材料还可以包括0.1~5%mol的ZnO、SiO2、MnO2、K2O其中一种或一种以上,作为烧结助剂;主成分经过湿法球磨细化、干燥、粉碎后在1200℃至1300℃煅烧2-3小时,加入烧结助剂,粉碎至粉体平均颗粒直径小于1μm,在氮氢混合气氛中1250~1350℃烧结至材料介电常数在20至40之间,温度系数为0±30PPM/℃,符合EIA标准COG温度特性。
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