[发明专利]增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法有效
| 申请号： | 02148916.5 | 申请日： | 2002-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1499652A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 萧调宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法，提供一基板，在基板上并制作了一氧化铟锡薄膜；接着，使用酸性溶液对氧化铟锡薄膜进行表面处理，由于酸性溶液为对氧化铟锡薄膜具有蚀刻速率低的特性，因此能平垣化氧化铟锡薄膜的表面。有效降低ITO的粗糙度及增进平坦化氧化铟锡层的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 增进 平坦 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法，其特征是：它至少包含下列步骤：(1)提供一基板；(2)形成一氧化铟锡薄膜于该基板的上表面；(3)使用一酸性溶液对该氧化铟锡薄膜进行表面处理，以平坦化该氧化铟锡薄膜的表面；该酸性溶液为对该氧化铟锡薄膜具有蚀刻速率低的特性。
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