[发明专利]在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法有效
| 申请号： | 02140252.3 | 申请日： | 2002-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1395288A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;刘柏村;莫亦先 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法，是先于半导体晶片的基底表面形成低介电常数介电层，接着对该低介电常数介电层进行一表面处理，于该低介电常数介电层表面形成钝化层；随后于半导体晶片表面上形成图案化的光阻层，并利用该光阻层作为硬屏蔽来对低介电常数介电层进行一蚀刻制程；最后再去除图案化的光阻层。其中钝化层是用来避免低该介电常数介电层于该去光阻制程中发生介电特性劣化的现象。利用含氮等离子的前处理，于低介电常数介电层表面形成钝化层，进而抑制该低介电常数介电层于去光阻制程中受损而形成Si－OH键，有效避免因Si－OH键吸附水气导致低介电常数介电层发生介电特性劣化的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 去光阻制程中 避免 介电常数 介电层劣化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法，其特征是：它包括如下步骤：(1)低介电常数介电层是形成于基底表面，对该低介电常数介电层进行表面处理，于该低介电常数介电层表面形成钝化层；(2)于该基底上形成图案化的光阻层；(3)利用该光阻层作为硬屏蔽，对该低介电常数介电层进行蚀刻制程；(4)进行去光阻制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
