[发明专利]降低复晶硅层的反射率的方法无效
| 申请号： | 02129780.0 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1476055A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李世达 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种降低复晶硅层的反射率的方法，首先提供一半导体基底；接着，将半导体基底放置于单一晶圆式化学气相沉积的反应器；然后，导入含硅气体于单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，在半导体基底的表面形成复晶硅层；导入氢气于单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，以调整复晶硅层上表面的晶粒尺寸；导入氧气于单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，在复晶硅层上方形成二氧化硅薄膜。具有降低复晶硅层的反射率的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 复晶硅层 反射率 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低复晶硅层的反射率的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)将上述半导体基底放置于单一晶圆式化学气相沉积的反应器；(3)导入含硅气体于上述单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，以在上述半导体基底的表面形成复晶硅层；(4)导入氢气于上述单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，以调整上述复晶硅层上表面的晶粒尺寸；(5)导入氧气于上述单一晶圆式化学气相沉积的反应室内，以在上述复晶硅层上方形成二氧化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
