[发明专利]曝光控制光掩模及其形成方法无效

专利信息
申请号: 01809469.4 申请日: 2001-03-14
公开(公告)号: CN1429353A 公开(公告)日: 2003-07-09
发明(设计)人: 西孝 申请(专利权)人: 西孝
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G02B3/00;B81C1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 邹光新,张志醒
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提出了一种用于在抗蚀层图案上形成三维表面结构的具有一层透射光量从100%至0%连续可控的阻光薄膜的曝光控制光掩模及其形成方法。在衬底3上淀积一层阻光薄膜2,再在阻光薄膜2上涂敷一层感光材料6。然后,用电子束曝光技术对感光材料6进行照射,电子束的照射量按位置改变。接着,执行显影,从而使感光材料形成三维表面结构。然后,在刻蚀过程中,通过对感光材料6和作为基底的阻光薄膜2进行深蚀刻,使这三维表面结构转印到阻光薄膜2上。
搜索关键词: 曝光 控制 光掩模 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种形成曝光控制光掩模的方法,其特征是所述形成方法包括下列步骤:在一个掩模衬底上淀积一层阻光薄膜;在所述阻光薄膜上淀积一层抗蚀层;用电子束照射所述抗蚀层,电子束的照射量按位置改变;执行显影,使抗蚀层具有与所述电子束照射量相应的三维表面结构;以及对所述抗蚀层和作为基底的一层阻光薄膜材料进行深蚀刻,将所述抗蚀层的形状转印到基底阻光薄膜上。
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