[发明专利]曝光控制光掩模及其形成方法无效
申请号: | 01809469.4 | 申请日: | 2001-03-14 |
公开(公告)号: | CN1429353A | 公开(公告)日: | 2003-07-09 |
发明(设计)人: | 西孝 | 申请(专利权)人: | 西孝 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G02B3/00;B81C1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,张志醒 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提出了一种用于在抗蚀层图案上形成三维表面结构的具有一层透射光量从100%至0%连续可控的阻光薄膜的曝光控制光掩模及其形成方法。在衬底3上淀积一层阻光薄膜2,再在阻光薄膜2上涂敷一层感光材料6。然后,用电子束曝光技术对感光材料6进行照射,电子束的照射量按位置改变。接着,执行显影,从而使感光材料形成三维表面结构。然后,在刻蚀过程中,通过对感光材料6和作为基底的阻光薄膜2进行深蚀刻,使这三维表面结构转印到阻光薄膜2上。 | ||
搜索关键词: | 曝光 控制 光掩模 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成曝光控制光掩模的方法,其特征是所述形成方法包括下列步骤:在一个掩模衬底上淀积一层阻光薄膜;在所述阻光薄膜上淀积一层抗蚀层;用电子束照射所述抗蚀层,电子束的照射量按位置改变;执行显影,使抗蚀层具有与所述电子束照射量相应的三维表面结构;以及对所述抗蚀层和作为基底的一层阻光薄膜材料进行深蚀刻,将所述抗蚀层的形状转印到基底阻光薄膜上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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