[发明专利]受光元件阵列无效
| 申请号： | 01802040.2 | 申请日： | 2001-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1386305A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 駒场信幸;田上高志;有马靖智;楠田幸久 | 申请（专利权）人： | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种受光元件阵列,可以防止串扰引起的受光元件的特性劣化。在n－InP基板上叠层n－InP层、i－InGaAs层、n－InP层,在n－InP层内扩散Zn而形成p型扩散区,作成pin光电二极管。在该结构上,保护绝缘膜成膜到成为无反射条件那样的膜厚。在该保护绝缘膜上,以覆盖受光部之间的方式设置遮光膜。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种受光元件阵列，是多个受光元件直线状排列的受光元件阵列，其特征在于，上述受光元件由通过扩散形成p型层或n型层的pin光电二极管组成，至少在上述受光元件的去除了受光部的一部分的上表面上设置遮光膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
