[发明专利]合成多层陶瓷电子部件及其制造方法无效
| 申请号： | 01143780.4 | 申请日： | 2001-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1360320A | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杉本安隆;近川修;森直哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/49;H01B3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8x18,52.5y65,20z40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 多层 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括层迭体的合成多层陶瓷电子部件，其特征在于，包括具有高介电常数材料的高介电常数层，所述高介电常数材料包括(a)xBaO-yTiO2-zReO3/2介质，其中x、y和z为％克分子，并满足条件8≤x≤18，52.5≤y≤65，20≤z≤40，且x+y+z＝100，Re为稀土元素，和(b)第一玻璃成分，其中高介电常数层的相对介电常数εγ等于或大于20，和至少一个包括低介电常数材料的低介电常数层，所述低介电常数材料包含陶瓷与第二玻璃成分的合成物，其中低介电常数层的相对介电常数εγ小等或等于10。
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