[发明专利]垂直式的氮化物只读存储单元的制造方法有效
| 申请号： | 01136184.0 | 申请日： | 2001-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1420551A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张国华;张耀文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种垂直式的氮化物只读存储单元的制造方法，此方法是在基底中形成沟渠，然后利用离子植入的方式，在基底的表面形成第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以及在沟渠的底部形成第三源极/漏极区，再在基底与沟渠的表面依序形成捕捉层与导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 氮化物 只读 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直式的氮化物只读存储单元的制造方法，其特征在于：该方法包括：提供一基底；在该基底中形成一沟渠；进行一离子植入步骤，在该基底的表面形成一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，且在该沟渠底部的该基底中形成一第三源极/漏极区；在该基底与该沟渠的表面形成一捕捉层；在该沟渠之中及该基底上形成一栅极导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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