[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 01124256.6 | 申请日： | 2001-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1402346A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 苏醒;赖纯祥;刘孟煌;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电(Electro－StaticDischarge；ESD)保护装置。本发明的静电放电保护装置是利用电阻电容(ResistanceCapacitance；RC)电路来区分电源开启(Power－On)瞬间所引发的过冲(Overshoot)现象及静电放电事件，以避免例如P型改进型横向晶闸管整流器(ModifiedLateralSiliconControlledRectifiers；MLSCR)等静电放电保护组件在正常操作时，因开启电源所导致的过冲现象而意外触发，以提高静电放电保护组件的效用。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护装置，用以保护一集成电路免于受静电放电事件伤害，该静电放电保护装置至少包括：一改进型横向晶闸管整流器，与该集成电路电性连接；一金属氧化物半导体晶体管，该金属氧化物半导体晶体管的漏极与该改进型横向晶闸管整流器电性连接；以及一电阻电容电路，是由一电阻及一电容组成，且该电阻电容电路分别与该集成电路、该金属氧化物半导体晶体管的栅极、以及一第一接地节点电性连接，其中该电阻电容电路是用以在正常操作的一激活电压进入该静电放电保护装置时，将该激活电压导入该金属氧化物半导体晶体管，以开启该金属氧化物半导体晶体管，并将该改进型横向晶闸管整流器的一电流经由该金属氧化物半导体晶体管的源极导入一第二接地节点，以在该正常操作下提高该改进型横向晶闸管整流器的一触发电压，并区分该静电放电事件及该正常操作。
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