[发明专利]集成光学元件的制造方法无效
| 申请号： | 00817113.0 | 申请日： | 2000-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1409826A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | S·W·罗伯茨;J·P·德拉克;A·P·R·哈平 | 申请（专利权）人： | 布克哈姆技术公共有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京,赵辛 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在绝缘体上硅芯片上制造集成光学元件的方法，芯片包含一层由绝缘层(3)与衬底(2)隔开的硅(1)，此元件在邻近绝缘层(3)的硅层(1)的第一层上有第一组图形，例如一个脊形波导(5)，在远离绝缘层(3)的硅层(1)的第二层上有第二组图形，例如一个三角形部分(6B)，该方法包括以下步骤选择一块绝缘体上硅芯片，它具有足够厚度的硅层(1)用来制作第一组图形；在硅层(1)第一层上制作第一组图形；增加选定区域内的硅层(1)的厚度，以便在第一层的一部分上面形成硅层(1)的第二层；然后在硅层(1)的第二层上制作第二组图形。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 光学 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘体上硅芯片上加工集成光学元件的方法，芯片包含一层由绝缘层与衬底隔开的硅，此元件在邻近绝缘层的硅层的第一层有第一组图形，在离绝缘层较远的硅层的第二层有第二组图形，这种方法包括以下步骤：选择一个绝缘体上硅芯片，它具有足够厚度的硅层用来形成第一组图形；在硅层内加工第一组图形，以便在硅层的第一层形成所述第一组图形；在选定区域增加硅层厚度，使在第一层的至少一部分上面形成硅层的第二层；在硅层的第二层上加工第二组图形。
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