[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法以及使用它的液晶显示装置无效
| 申请号： | 00804193.8 | 申请日： | 2000-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1341231A | 公开（公告）日： | 2002-03-20 |
| 发明（设计）人： | 小川一文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/1335;G09F9/30;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供可用两个或三个光掩模制作的TFT阵列基板结构。为此在具有象素电极(14’)和TFT(16)的TFT阵列基板中,上述TFT包含在绝缘性基板(1)上堆积的硅半导体膜、在上述硅半导体膜的沟道区上形成的栅绝缘膜(4’)、在上述栅绝缘膜(4’)上形成的栅极(5’)、覆盖上述栅极(5’)的表面的栅极金属氧化膜(7)、作为上述栅极金属氧化膜(7)上面的互相分离的电极且覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少源区侧的侧面和源区的源极(12)、以及以覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少漏区侧的侧面和漏区的方式形成的漏极(13)。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制造 方法 以及 使用 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅(topgate)型TFT阵列基板，是在绝缘性基板(1)上以矩阵状形成有象素电极(14’)和驱动象素电极的TFT(16)的顶栅型TFT阵列基板，其特征在于：上述TFT包含：在绝缘性基板(1)上堆积的硅半导体膜、在上述硅半导体膜的沟道区上形成的栅绝缘膜(4’)、在上述栅绝缘膜(4’)上形成的栅极(5’)、覆盖上述栅极(5’)的表面的栅极金属氧化膜(7)、作为上述栅极金属氧化膜(7)上面的互相分离的电极且覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少源区侧的侧面和源区的源极(12)、以及以覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少漏区侧的侧面和漏区的方式形成的漏极(13)；上述象素电极(14’)在基板的形成了上述TFT(16)以外的部位形成，且通过上述漏极(13)与上述硅半导体膜的漏区电连接。
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