[发明专利]碳毫微管的形成方法无效
| 申请号： | 00106211.5 | 申请日： | 2000-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1270920A | 公开（公告）日： | 2000-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张震;郑皙在 | 申请（专利权）人： | 张震;株式会社日进那诺泰克 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种容易通过高密度等离子体形成经纯制的碳毫微管的方法,由该碳毫微管中已除去石墨相或碳颗粒。以1011cm－3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。碳毫微管的形成方法包括通过等离子体沉积在基底上生长碳毫微管层直至预定的厚度;通过等离子体蚀刻纯制碳毫微管;以及重复碳毫微管的生长和纯制。在等离子体蚀刻时,使用包含卤素的气体作为源气体,例如四氟化碳气体。 | ||
| 搜索关键词： | 微管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成碳毫微管的方法，其中，以1011cm-3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。
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