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[发明专利]量子点阵列装置-CN201680088382.5有效
发明人： R.皮拉里塞蒂;J.M.罗伯茨;D.J.米夏拉克;Z.R.约斯科维茨;J.S.克拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本文公开的是量子点装置以及相关计算装置和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点装置可包括：量子阱堆叠，包括量子阱层；多个第一栅极，布置在量子阱堆叠上方，其中至少两个第一栅极在量子阱堆叠上方沿第一维度分隔开，至少两个第一栅极在量子阱堆叠上方沿第二维度分隔开，并且第一和第二维度是垂直的；和第二栅极，布置在量子阱堆叠上方，其中第二栅极在沿第一维度分隔开的至少两个第一栅极之间延伸，并且第二栅极在沿第二维度分隔开的至少两个第一栅极之间延伸。
量子阵列装置

[发明专利]量子点器件的量子阱堆叠-CN201780095311.2在审
发明人： N.K.托马斯;J.S.克拉克;J.M.托雷斯;R.皮拉里塞蒂;K.辛赫;P.阿明;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;R.考蒂洛;D.J.米查拉克;Z.R.约斯科维茨;L.兰泊特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文公开了量子点器件以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点器件可以包括：包括量子阱层的量子阱堆叠，其中量子阱层包括同位素纯化的材料；在所述量子阱堆叠上方的栅极电介质；以及所述栅极电介质上方的栅极金属，其中所述栅极电介质在所述量子阱层和所述栅极金属之间。
量子器件堆叠

[发明专利]用于量子位的衬底设计-CN201780093998.6在审
发明人： J.M.罗伯茨;W.T.哈里逊;A.A.埃尔舍比尼;S.佩莱拉诺;Z.R.约斯科维茨;L.兰帕特;R.皮拉里塞蒂;R.考迪洛;H.C.乔治;N.K.托马斯;D.J.米夏拉克;K.辛格;J.S.克拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本公开的实施例提出量子位衬底以及其制造方法和相关装置组件。在本公开的一个方面中，量子位衬底包括掺杂半导体材料的基础衬底，以及在基础衬底上的基本本征半导体材料的层。以这种方式设计量子位衬底允许改进其上提供的量子位的相干时间，然而同时是足够机械稳健的，使得它可以有效地用于大规模制造。
用于量子衬底设计

[发明专利]用于自旋量子位的空缺中心的晶片级集成-CN201910221161.6在审
发明人： N.K.托马斯;M.拉多萨夫耶维奇;S.达斯古普塔;R.皮拉里塞蒂;K.辛格;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;D.J.米夏拉克;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;L.拉姆珀特;J.S.克拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：用于自旋量子位的空缺中心的晶片级集成。本公开的实施例提出了用于在半导体衬底上集成空缺中心（VC）以用于形成基于VC的自旋量子位器件的两种方法。第一种方法基于使用用于在半导体衬底上集成VC岛的自组装过程。第二种方法基于使用在半导体衬底之上的III‑N半导体材料的缓冲层，并且然后将VC岛集成在绝缘碳基材料中，该绝缘碳基材料诸如作为在III‑N缓冲层上的层生长或者在形成在III‑N缓冲层中的开口中生长的金刚石。根据这些方法中的任一项，通常在半导体制造中使用的在半导体衬底上集成VC岛可以提供关于用以构建基于VC的自旋量子位器件的常规方法的实质改进，并且可以促进基于VC的自旋量子位的晶片级集成在量子计算器件中的使用。
量子位自旋衬底晶片级集成半导体缓冲层空缺碳基材料绝缘半导体材料半导体制造量子计算金刚石生长自组装构建开口改进

[发明专利]具有同位素纯化材料的基于施主或受主的自旋QUBIT-CN201910123865.X在审
发明人： N.K.托马斯;J.S.克拉克;J.M.托雷斯;L.拉姆珀特;R.皮拉里塞蒂;H.C.乔治;K.辛格;J.M.罗伯茨;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;D.J.米夏拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开的实施例描述基于施主或受主的自旋qubit装置和组件中的同位素纯化材料的使用。示例性自旋qubit装置组件可包括：半导体基质层，包括同位素纯化材料；掺杂物原子，位于半导体基质层中；和栅极，位于掺杂物原子附近。与非同位素纯化材料中的那些同位素的自然丰度相比，同位素纯化材料可包括更低原子百分比的具有非零核自旋的同位素。减少半导体基质层中的具有非零核自旋的同位素的存在可提高qubit相干性，并且因此提高自旋qubit装置和组件的性能。
同位素纯化材料自旋半导体基质掺杂物原子核自旋非零受主原子百分比装置组件自然丰度相干性与非

[发明专利]用于基于施主或受主的自旋量子比特的掺杂剂原子的晶片级集成-CN201910207599.9在审
发明人： L.拉姆珀特;J.S.克拉克;J.M.罗伯茨;R.皮拉里塞蒂;D.J.米夏拉克;K.辛格;R.考迪洛;H.C.乔治;Z.R.约斯科维茨;N.K.托马斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开的实施例描述了一种制造利用基于掺杂剂的自旋量子比特的自旋量子比特设备组件的方法，基于掺杂剂的自旋量子比特即为通过将施主或受主掺杂剂原子包括在半导体基质层中进行操作的自旋量子比特设备。该方法包括：首先在半导体基质层上面提供一对栅电极；以及然后在第一和第二栅电极之间提供窗结构，该窗结构是连续固体材料，其在第一和第二电极之间延伸且除开口外覆盖该半导体基质层，要通过该开口在该半导体基质层中注入掺杂剂原子。通过使用所定义的先栅极过程，该方法可以解决可扩缩性挑战并在期望位置中创建用于制造基于掺杂剂的自旋量子比特的确定性路径，从而促进基于掺杂剂的自旋量子比特设备的晶片级集成以用于在量子计算设备中使用。
自旋量子半导体基质掺杂剂窗结构栅电极掺杂剂原子晶片级集成受主掺杂剂注入掺杂剂第二电极可扩缩性连续固体量子计算期望位置设备组件栅极过程晶片级受主确定性制造开口延伸创建覆盖挑战

[发明专利]量子点器件中的鳍部应变-CN201910174279.8在审
发明人： R.皮拉利塞蒂;K.辛格;P.H.基斯;R.考迪洛;H.C.乔治;Z.R.约斯科维茨;N.K.托马斯;J.S.克拉克;R.科特尔亚;P.阿明;J.M.罗伯茨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及量子点器件中的鳍部应变。本文公开了量子点器件以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点器件可以包括：基部；从基部延伸离开的鳍部，其中该鳍部包括量子阱层；在鳍部上方的栅极；以及在鳍部的侧表面上的材料；其中，鳍部具有在其侧表面之间的宽度，并且鳍部在该宽度的方向上是应变的。
鳍部量子点器件侧表面基部延伸计算设备量子阱层基部

[发明专利]量子点器件中的栅极布置-CN201910135892.9在审
发明人： N.K.托马斯;R.皮拉里塞蒂;K.辛格;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;D.J.米夏拉克;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;L.拉姆珀特;J.S.克拉克;W.拉赫马迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：在本文中公开了量子点器件，以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，量子点器件可以包括：量子阱堆叠；在量子阱堆叠上面的一层栅极电介质；在该层栅极电介质上面的第一栅极金属和第二栅极金属；以及在第一栅极金属与第二栅极金属之间的栅极壁，其中该栅极壁在该层栅极电介质上面，并且该栅极壁包括第一介电材料和与第一介电材料不同的第二介电材料。
栅极金属量子点器件栅极电介质介电材料量子阱堆叠计算设备

[发明专利]用于在量子器件中形成金属栅的侧壁金属垫片-CN201910108465.1在审
发明人： H.C.乔治;Z.R.约斯科维茨;N.K.托马斯;L.拉姆珀特;J.S.克拉克;J.M.罗伯茨;R.皮拉里塞蒂;D.J.米夏拉克;K.辛格;R.考迪洛 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开的是用于在量子器件中提供金属栅的制造技术以及相关的量子器件。例如，在一些实施例中，制造量子器件的方法可以包括：在量子位器件层上方提供栅电介质，在栅电介质上方提供被称为“栅支撑元件”的非金属元件的图案，以及在栅支撑元件的侧壁上沉积栅金属以形成量子器件的多个栅。
量子器件栅电介质支撑元件金属栅非金属元件侧壁金属量子位器件层栅金属侧壁垫片沉积制造图案

[发明专利]量子点器件-CN201680089840.7在审
发明人： J.S.克拉克;N.K.托马斯;Z.R.约斯科维茨;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;R.皮拉里塞蒂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-24 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本文公开了量子点器件以及相关的系统和方法。在一些实施例中，量子点器件可以包括量子阱堆叠；量子阱堆叠上方的多个第一栅；以及量子阱堆叠上方的多个第二栅；其中，所述多个第一栅布置在沿第一方向延伸的电连续行中，并且所述多个第二栅布置在沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的电连续行中。
量子点器件量子阱堆叠方向延伸连续行垂直

[发明专利]用于量子比特的带线和微带传输线-CN201680088502.1在审
发明人： J.M.罗伯茨;R.皮拉里塞蒂;D.J.米夏拉克;Z.R.约斯科维茨;J.S.克拉克;S.佩莱拉诺 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本文描述了量子电路中的新传输线结构以用作谐振器和非谐振互连件。在本公开的一个方面中，一种所提出的结构包括衬底、在所述衬底上面设置的地平面、在所述地平面上面设置的介电层和在所述介电层上面设置的导体带。在另一方面中，一种所提出的结构包括衬底、在所述衬底上面设置的下地平面、在所述下地平面上面设置的下介电层、在所述下介电层上面设置的导体带、在所述导体带上面设置的上介电层和在所述上介电层上面设置的上地平面。如本文提出的传输线结构可以用于提供去往量子比特、来自量子比特或/和量子比特之间的微波连接，或者设定对各个量子比特进行寻址的频率。还公开了用于制造这种结构的方法。
量子衬底导体带传输线结构上介电层下介电层地平面介电层微带传输线量子电路微波连接非谐振互连件谐振器带线寻址制造

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