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[发明专利]作为LRRK2抑制剂的N-连接异喹啉酰胺及其药物组合物和用途-CN202180074449.0在审
发明人： P·H·富勒;A·古拉蒂;S·D·卡塔;M·H·凯罗;K·A·玛格雷;X·闫 -专利权人：默沙东有限责任公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A61K31/47 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)的某些2‑氨基喹唑啉衍生物及其药学上可接受的盐，其中R1、R2和R3是如本文所定义的，所述2‑氨基喹唑啉衍生物及其药学上可接受的盐是LRRK2激酶的高效抑制剂，并且可以用于治疗或预防涉及LRRK2激酶的疾病，例如帕金森病以及本文所述的其他疾病或病症。本发明还涉及包含这些化合物的药物组合物以及这些化合物和组合物在预防或治疗涉及LRRK‑2激酶的此类疾病中的用途。
作为 lrrk2 抑制剂连接喹啉及其药物组合用途

[发明专利]作为LRRK2抑制剂的N-(杂芳基)喹唑啉-2-胺衍生物、药物组合物及其用途-CN202080088449.1在审
发明人： M·H·凯罗;M·J·亚多利诺;R·W·周;P·H·富勒;A·古拉蒂;R·E·约翰森;S·D·卡塔;K·A·玛格雷;G·J·莫里尔诺;S·F·内莱卡维尔;X·闫;E·C·于;C·C·扎拉特·赛泽 -专利权人：默沙东有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： A61K31/4155 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)的经取代的某些N‑(杂芳基)喹唑啉‑2‑胺衍生物及其药学上可接受的盐，其中J、R3和R4为如本文所定义，它们为LRRK2激酶的强效抑制剂并可用于治疗或预防涉及LRRK2激酶的疾病，如帕金森氏病及本文描述的其他疾病和病症。本发明还涉及包含这些化合物的药物组合物以及这些化合物和组合物在预防或治疗涉及LRRK‑2激酶的疾病如帕金森氏病中的用途。
作为 lrrk2 抑制剂杂芳基喹唑啉衍生物药物组合及其用途

[发明专利]具有闩锁的车后部覆盖物系统-CN201580065031.8有效
发明人： S·威廉姆森;D·科辛斯基;M·杨;X·闫;J·童;C·魏 -专利权人：拉格德莱诺公司;贝昂机电实业（南京）有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B60J7/14 文献下载
摘要：一种用于具有载货箱(22)的车辆的车后部覆盖物系统包括撞击器以及覆盖物，所述撞击器适合于被固定到所述载货箱(22)，当所述覆盖物处于闭合位置(36)时，所述覆盖物被布置在所述载货箱(22)上方并且适合于所述载货箱(22)。此外，所述覆盖物包括刚性框架和被安装到框架的所述闩锁。当覆盖物处于限定所述闩锁的锁定位置的闭合位置(36)时，所述闩锁接合所述撞击器。所述覆盖物进一步包括连杆和手柄，所述连杆从所述闩锁沿着所述框架延伸，所述手柄被耦接到所述闩锁，以便将所述闩锁移动到脱离所述撞击器的释放位置内。最后，所述覆盖物包括耦接器，所述耦接器被布置在所述连杆周围并且被耦接到所述手柄。所述耦接器从第一位置移动到第二位置并且对所述手柄的移动作出响应，其中所述连杆相对于所述框架移动，以便促进所述闩锁到所述释放位置内的移动。
具有后部覆盖系统

[发明专利]用于纳米结构热电材料中高品质因数的方法-CN201510205756.4在审
发明人： Z·任;B·波德尔;G·陈;Y·蓝;D·王;Q·郝;M·德雷斯尔豪斯;Y·马;X·闫;X·陈;X·王;G·R·乔希;B·于 -专利权人：麻省理工学院;波士顿学院董事会
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：公开带有高品质因数ZT值的热电材料。在许多情形中，这样的材料包括纳米尺寸域(例如，纳米晶体)，其被认为有助于升高材料的ZT值(例如通过由于在晶粒边界或晶粒/夹杂物边界处的界面而增加的声子散射)。这样的材料的ZT值能够大于大约1、1.2、1.4、1.5、1.8、2和甚至更高。这样的材料能够由热电起始材料制造，所述制造为：通过由热电起始材料生成纳米颗粒或生成来自元素的机械合金化的纳米颗粒，其能够随后被压实(例如通过直流电导致的热压)为新的块体材料。起始材料的非限制性例子包括铋、铅和/或硅基材料，其能够是合金材料、元素材料和/或掺杂材料。涉及纳米结构的热电材料的方面的多种组成和方法(例如调制掺杂)被进一步公开。
用于纳米结构热电材料中高品质因数方法

[发明专利]用于纳米结构热电材料中高品质因数的方法-CN200780050809.3无效
发明人： Z·任;B·波德尔;G·陈;Y·蓝;D·王;Q·郝;M·德雷斯尔豪斯;Y·马;X·闫;X·陈;X·王;G·R·乔希;B·于 -专利权人：麻省理工学院;波士顿学院董事会
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：公开带有高品质因数ZT值的热电材料。在许多情形中，这样的材料包括纳米尺寸域(例如，纳米晶体)，其被认为有助于升高材料的ZT值(例如通过由于在晶粒边界或晶粒/夹杂物边界处的界面而增加的声子散射)。这样的材料的ZT值能够大于大约1、1.2、1.4、1.5、1.8、2和甚至更高。这样的材料能够由热电起始材料制造，所述制造为：通过由热电起始材料生成纳米颗粒或生成来自元素的机械合金化的纳米颗粒，其能够随后被压实(例如通过直流电导致的热压)为新的块体材料。起始材料的非限制性例子包括铋、铅和/或硅基材料，其能够是合金材料、元素材料和/或掺杂材料。涉及纳米结构的热电材料的方面的多种组成和方法(例如调制掺杂)被进一步公开。
用于纳米结构热电材料中高品质因数方法