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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有周向加强元件的压力容器-CN202080023121.1在审
发明人： V·杜宾;D·泰塞拉;N·萨伊地 -专利权人： IFP新能源公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： F17C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种压力罐，包括管状部分和两个底部(5)，底部(5)设置在管状部分的各端部处。管状部分包括圆柱形壁(1)和围绕圆柱形壁(1)缠绕的、成层的加强元件(2)。此外，圆柱形壁(1)的材料的弹性模量小于第一层的周向加强元件(2)的材料的弹性模量。本发明还涉及一种能量储存和回收系统，包括压缩装置、膨胀装置、储热装置和如前述特征所述的压缩空气罐。
具有加强元件压力容器

[发明专利]包括浮体和具有随深度变化的横截面的阻尼板的浮动支承结构-CN201780046374.9在审
发明人： A·埃米里;P·伯左内特;N·萨伊地;V·杜宾 -专利权人： IFP新能源公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本发明涉及设有主浮体(2)且设有升沉板(3)的浮动支承结构(1)。升沉板(3)包括随着深度变化的截面。此外，升沉板(3)具有比主浮体(2)的水平截面Sc更大的最小水平截面Sd1。
浮动支承结构深度变化水平截面主浮体阻尼板浮体

[发明专利]有直接接触散热片的微电子封装及其制造方法-CN201410027206.3在审
发明人： C·胡;D·陆;G·范登托普;S·拉玛纳杉;R·巴斯卡兰;V·杜宾 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：描述了制造具有直接接触散热片的微电子封装的方法、根据该方法形成的封装、根据该方法形成的管芯-散热片组合和结合了该封装的系统。该方法包括微电子管芯的背侧，以形成直接接触并固定于管芯的背侧的散热片主体，由此获得管芯-散热片组合。该封装包括管芯-散热片组合及与管芯接合的基板。
直接接触散热片微电子封装及其制造方法

[发明专利]金属－氮化物薄膜的无胺沉积-CN200680036474.5无效
发明人： V·杜宾;K·奥布里恩;A·拉瓦;J·多明格斯;S·约翰斯顿;J·佩克;D·汤普逊;D·彼得斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于形成金属碳化物层的方法，其开始以提供衬底、有机金属前体材料、至少一种掺杂剂如氮气、以及等离子体如氢等离子体。所述衬底被放置在反应室内；并加热。从而进行工艺循环，其中所述工艺循环包括脉冲有机金属前体材料到所述反应室中，脉冲掺杂剂到所述反应室中和脉冲等离子体到所述反应室之中，从而所述有机金属前体材料、所述掺杂剂和等离子体在所述衬底的表面反应以形成金属碳化物层。所述工艺循环可以被重复和变化以形成分级的金属碳化物层。
金属氮化物薄膜沉积

[发明专利]有直接接触散热片的微电子封装及其制造方法-CN200680035208.0无效
发明人： C·胡;D·陆;G·范登托普;S·拉玛纳杉;R·巴斯卡兰;V·杜宾 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：描述了制造具有直接接触散热片的微电子封装的方法、根据该方法形成的封装、根据该方法形成的管芯－散热片组合和结合了该封装的系统。该方法包括微电子管芯的背侧，以形成直接接触并固定于管芯的背侧的散热片主体，由此获得管芯－散热片组合。该封装包括管芯－散热片组合及与管芯接合的基板。
直接接触散热片微电子封装及其制造方法

[发明专利]碳纳米管互连接触-CN200680020459.1无效
发明人： F·格斯特赖因;A·拉瓦;V·杜宾 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于在半导体基材上形成互连的方法，包括：提供至少一种在沟槽之内的碳纳米管(304)，蚀刻所述碳纳米管的至少一部分以产生开口(602)，通过所述开口在所述碳纳米管上共形地沉积金属层，并且在所述基本上与所述碳纳米管连接的开口上形成金属化的接触(308)。可以使用原子层沉积工艺或无电镀覆工艺将金属层共形地沉积到所述碳纳米管上。可以沉积多个金属层以基本填充所述碳纳米管中的空隙。所述无电镀覆工艺可以使用超临界液体作为用于镀覆溶液的介质。在所述无电镀覆工艺之前可以对所述碳纳米管的润湿特性进行改性，以提高所述碳纳米管的亲水性。
纳米互连接触

[发明专利]传感器阵列集成电路-CN200580009872.3无效
发明人： V·杜宾;K·戴维;A·伯林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：一种装置包括密集阵列寻址器件和光耦合到该密集阵列寻址器件的分光仪。一种方法包括通过表征密集寻址设备上的之后的电解速度来确定目标分子与密集阵列寻址器件的结合和/或欠结合。一种方法包括采用大马士革图案处理来制造密集阵列寻址器件。
传感器阵列集成电路

[发明专利]基于功能化电极上具体结合事件的电读数来分析分子和纳米材料的方法和基于CMOS的装置-CN200610121538.3无效
发明人： V·杜宾;F·格斯淳;J·吕克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括具有探针分子的功能化电极的装置，该装置能通过功能化电极的极化改变来电检测探针分子和靶分子之间的分子结合事件。该装置也包括不具有探针分子的非功能化电极，并且该装置能通过功能化电极和非功能化电极之间的极化改变来电检测探针分子和靶分子之间的分子结合事件。
基于功能电极具体结合事件读数分析分子纳米材料方法 cmos 装置

[发明专利]导电凸起的设计和方法-CN200480027161.4有效
发明人： M·玻尔;S·巴拉克利施南;V·杜宾 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：涉及管芯封装的方法、技术和结构。在一个典型实现中，管芯封装互连结构包括半导体衬底以及与所述半导体衬底接触的第一导电层。该第一导电层可包括基极层金属(230)。所述基极层金属可包括Cu。该典型实现还包括与所述第一导电层接触的扩散阻挡物(225)以及在所述扩散阻挡物之上的润湿层。凸起层(215)可位于所述润湿层之上，其中所述凸起层包括Sn并且Sn可被电镀。此外，所述扩散阻挡物还适于抑制凸起层中类晶须的形成。
导电凸起设计方法

[发明专利]互连结构和无电镀引入互连结构的方法-CN01821577.7有效
发明人： P·J·麦克格雷戈尔;C·托马斯;M·达塔;V·杜宾 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-11-15 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在一接触点(120)上面在穿过一层电介质的一个窗孔中引入一互连结构，并经一种化学引发的氧化－还原反应引入一导电的分路材料(180)。一种方法包括在一接触点上面在穿过一层电介质的一个窗孔中引入一互连结构，在互连结构露出的表面上面引入有一氧化值的一导电分路材料，并还原此分路材料的氧化值。一种装置包括一片含有带接触点的一器件的基片、一层盖住器件并有一窗孔通向接触点(120)的介质层(130)、以及配置在含有一种互连材料和一种不同导电分路材料(180)的窗孔中的一互连结构。
互连结构电镀引入方法

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