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[发明专利]IGBT模块和电路-CN201110320319.9有效
发明人： H-P.费尔斯尔;F.J.尼德诺斯泰德;T.拉克;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及IGBT模块和电路。提供了一种IGBT模块。所述IGBT模块具有：至少第一单独IGBT，具有关断所述IGBT模块期间的第一软化度；以及至少第二单独IGBT，并联连接至至少一个第一IGBT。所述至少一个第二单独IGBT具有关断所述IGBT模块期间的第二软化度，所述第二软化度与所述第一软化度不同。还提供了具有并联连接的两个单独IGBT的电路和电子功率器件。
igbt 模块电路

[发明专利]具有减小的短路电流的晶体管器件-CN201110231080.8有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;T.拉克;H-J.舒尔策;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管器件，其具有在半导体本体（100）中第一导通类型的源极区（11）和漂移区（13）；与第一导通类型互补的第二导通类型的布置在漂移区与源极区之间的本体区（12）；源极电极（21），其接触源极区（11）和本体区（12）；栅极电极（15），其被布置为与本体区（12）相邻并通过栅极介电层（16）以介电的方式相对于本体区（12）绝缘；二极管结构，其连接在漂移区（13）与源极电极（21）之间并且具有：第一发射极区（31），其被布置为与半导体本体（100）中的漂移区（13）邻接；第一导通类型的与第一发射极区邻接的第二发射极区（32），其连接到源极电极（32）上并且具有小于0.7的发射极效率γ。
具有减小短路电流晶体管器件