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[发明专利]具有栅极流道的关断功率半导体装置-CN202180023144.7有效
发明人： T·维克斯特罗;T·斯蒂亚斯尼;P·科姆明 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种关断功率半导体装置(100)，其包括多个第一和第二晶闸管单元(51，52)、公共栅极触头(60)和多个条带形导电第一栅极流道(70)。每个第一栅极流道(70)具有第一端部分(70a)、与第一端部分(70a)相对的第二端部分(70b)以及连接第一端部分(70a)和第二端部分(70b)的第一连接部分(70c)。每个栅极流道的第一端部分(70a)直接连接到公共栅极触头(60)，且每个栅极流道(70)的第二端部分(70b)直接连接到第二栅极电极层(171)。所有第一晶闸管单元(51)的第一栅极电极层部分(161a)被实施为围绕所有第一晶闸管单元的主电极的第一栅极电极层(161)，且所有第二晶闸管单元(52)的第二栅极电极层部分(171a)被实施为围绕所有第二晶闸管单元的主电极的第二栅极电极层(171)。第一栅极电极层(161)直接连接到公共栅极触头(60)。至少每个第一栅极流道(70)的第一连接部分(70c)与第一栅极电极层(161)分离且第二栅极电极(171)与第一栅极电极层(161)分离。
具有栅极功率半导体装置

[发明专利]集成门极换流晶闸管(IGCT)-CN202180016086.5有效
发明人： T·维克斯特罗;U·维穆拉帕蒂 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种集成门极换流晶闸管(IGCT)，包括具有第一主侧和与第一主侧相对的第二主侧的半导体晶片、以及多个第一类型晶闸管单元和第二类型晶闸管单元。第一类型晶闸管单元的阴极电极与阴极区形成欧姆接触，并且第二类型晶闸管单元的阴极电极与阴极区绝缘。段环中第一类型晶闸管单元和第二类型晶闸管单元的总量中的第二类型晶闸管单元的预定百分比大于0％且等于或小于75％。
集成换流晶闸管 igct

[发明专利]包括晶闸管和双极结型晶体管的功率半导体器件-CN202180026333.X在审
发明人： T·维克斯特罗 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件(100)，包括集成在同一半导体晶片(110)中的晶闸管结构(50)和双极结型晶体管(60)。晶闸管结构(50)包括栅极电极(161)、布置在半导体晶片(110)的第一主侧(111)上的第一主电极(162)、和布置在半导体晶片(110)的第二主侧(112)上的第二主电极(163)。双极结型晶体管(60)包括与栅极电极(161)电分离的基极电极(171)、布置在第一主侧(111)上的第三主电极(172)、和布置在第二主侧(112)上的第四主电极(173)。基极电极(171)对应于双极结型晶体管(60)的基极端子。第三主电极(172)对应于双极结型晶体管(60)的集电极端子和发射极端子中的一者，并且第四主电极(173)对应于双极结型晶体管(60)的集电极端子和发射极端子中的另一者。第一主电极(162)电连接到第三主电极(172)，并且第二主电极(163)电连接至第四主电极(173)。
包括晶闸管双极结型晶体管功率半导体器件

[发明专利]反向导通功率半导体器件及其制造方法-CN202180012131.X在审
发明人： T·维克斯特罗;U·维穆拉帕蒂 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种反向导通功率半导体器件，其中多个晶闸管单元(50)和续流二极管(60)集成在半导体晶片中。二极管阳极层(32)包括多个第一二极管阳极层段(321)，所述多个第一二极管阳极层段在与半导体晶片(20)的第二主侧(22)平行的平面上的正交投影中是条形的，每个第一二极管阳极层段(321)的纵向主轴MA在侧向方向上延伸离开半导体晶片(20)的侧向中心。每个第一二极管阳极层段(321)在垂直于其纵向主轴(MA)的方向上的第一侧向宽度(w1)在沿着纵向轴线的任何位置处至少为1000μm，或者至少为1200μm。该器件还包括多个条形局部寿命控制区(91)。二极管阴极层(33)包括多个条形二极管阴极层段(331)。在正交投影中，每个局部寿命控制区(91)和每个二极管阴极层段(331)分别布置在对应的第一二极管阳极层段(321)内。
向导功率半导体器件及其制造方法