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[发明专利]沉积方法-CN201080061492.5有效
发明人：畑下晶保;大石明光;村上彰一 -专利权人： SPP科技股份有限公司
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用能够获得低膜厚比例的沉积气体、及能够获得高膜厚比例的沉积气体，形成特定膜厚比例的氧化膜的沉积方法。当在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）形成膜厚大于孔（87）底面的膜厚的氧化膜（88）、让形成在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）的氧化膜（88）的膜厚与形成在孔（87）底面的氧化膜（88）的膜厚的膜厚比例为特定膜厚比例时，将四乙氧基硅烷及氧混合气体等离子化，形成氧化膜（88a）后，将与四乙氧基硅烷及氧混合气体相比可获得较高膜厚比例的硅烷与一氧化二氮混合气体等离子化，形成氧化膜（88b）。因此，利用由四乙氧基硅烷及氧形成的氧化膜（88a）、及由硅烷及一氧化二氮形成的氧化膜（88b），形成具有特定膜厚比例的氧化膜（88）。
沉积方法

[发明专利]等离子蚀刻法-CN201080026692.7无效
发明人：大石明光;村上彰一;畑下晶保 -专利权人： SPP科技股份有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够高精度地蚀刻宽带隙半导体基板的等离子蚀刻法。将惰性气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对载置宽带隙半导体基板的基台赋予偏置电位，使由惰性气体的等离子化所产生的离子入射到基台上的半导体基板而加热半导体基板，当半导体基板的温度达到200℃～400℃的温度即蚀刻时的温度后，将蚀刻气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对基台赋予偏置电位，一面将半导体基板的温度维持在所述蚀刻时的温度一面蚀刻半导体基板。
等离子蚀刻