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[发明专利]SiC单晶生长装置-CN202280011111.5在审
发明人：盐见弘 -专利权人： SEC炭素株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC单晶生长装置，其能够对固体原料均匀地进行加热而使其升华为气体原料，并且能够减少使SiC单晶生长时的原料的浪费。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其具有原料收纳部(12)和晶种安装部(16)，原料收纳部(12)在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的局部收纳有由SiC构成的固体原料(M(s))，在原料收纳部(12)的内部空间(S)的未收纳固体原料(M(s))的一侧具有晶种安装部(16)，该晶种安装部供SiC的晶种(2)配置；以及加热部件(3)，其对加热容器(10)进行加热，加热部件(3)具有第1加热部(31)，该第1加热部(31)具有第1加热面(31a)，该第1加热面相对于处于加热容器(10)的外表面侧且是原料收纳部(12)的与晶种安装部(16)相对的主面部分而言以覆盖该主面部分的整个外表面的位置关系与该主面部分相对配置，在将内部空间(S)的圆形切片面积设为A并将第1加热面(31a)的面积设为B时，满足B/A≥2的关系。
sic 生长装置

[发明专利]使用坩埚制造碳材料的制造方法-CN201680006693.2有效
发明人：中村顺一;荒川英吾 -专利权人： SEC炭素株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明制造纯度较高的碳材料。碳材料的制造方法包括以下工序：准备坩埚(10)，该坩埚(10)具有容器和盖，所述容器包括圆筒状的主体部和用于覆盖主体部的一端的底部，所述盖包括圆筒部和用于覆盖圆筒部的一端的圆板部；将原料收纳于坩埚(10)；将轴向成为水平地配置的石墨管(20)加热；以及将收纳有原料的坩埚(10)以其主体部的轴向成为与石墨管(20)的轴向平行的方式装入石墨管(20)的内部。在主体部的外周面形成有外螺纹，在圆筒部的内周面形成有用于与外螺纹紧固的内螺纹。盖的外径与容器的外径相等，圆板部具有贯通口。
使用坩埚制造材料方法

[发明专利]热处理装置-CN201680006717.4有效
发明人：中村顺一;荒川英吾 -专利权人： SEC炭素株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： F27B9/36 文献下载
摘要：本发明提供一种能够再现性良好地控制温度分布的热处理装置。热处理装置(1)具有筒状的加热器(20)、由连接于加热器(20)的两端的石墨管形成的槽(30、40)以及形成于槽(30、40)的电极(31、41)。加热器(20)包括：第1石墨管(21B)；第2石墨管(21C)，其配置为一个端面与第1石墨管(21B)的一个端面接触，并具有比第1石墨管(21B)的电阻高的电阻；以及第3石墨管(21D)，其配置为一个端面与第2石墨管(21C)的另一个端面接触，并具有比第2石墨管(21C)的电阻低的电阻。
热处理装置