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[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202211634352.3在审
发明人：崔莉;S·M·科莱;E·阿卡德;岑寅杰;朴钟根;李忠奉;J·F·卡梅伦 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂组合物，其包含：第一聚合物，该第一聚合物包含：含有羟基芳基基团的第一重复单元；含有第一酸不稳定基团的第二重复单元；以及含有pKa为12或更小的第一碱溶性基团并且不含羟基芳基的第三重复单元；其中该第一聚合物的第一、第二和第三重复单元彼此不同，并且该第一聚合物不含内酯基团；第二聚合物，该第二聚合物包含：含有第二酸不稳定基团的第一重复单元、含有内酯基团的第二重复单元、和含有pKa为12或更小的第二碱溶性基团的第三重复单元；其中，该第二聚合物的第一、第二和第三重复单元在结构上彼此不同；和溶剂；其中该第一聚合物和该第二聚合物彼此不同。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]含硅底层-CN201811294466.1有效
发明人： C·A·卡特勒;崔莉;山田晋太郎;P·J·拉博姆;S·M·科莱;J·F·卡梅伦;D·格林 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供采用可湿法剥离的底层组合物制造电子器件的方法，所述组合物包含以下各项的缩合物和/或水解物：包含作为聚合单元的一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体的聚合物，其中所述可缩合含硅部分悬垂于所述聚合物主链上；和一种或多种可缩合硅单体。
底层

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111453047.X在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，该方法包括：在该衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，该光致抗蚀剂底层由包含具有小于110℃的玻璃化转变温度的聚合物和溶剂的组合物形成；对该光致抗蚀剂底层进行金属前体处理，其中该金属前体浸渗该光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111444330.6在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，其中所述光致抗蚀剂底层由包含聚合物和溶剂的组合物形成，并且所述光致抗蚀剂底层具有大于47at％的碳含量；用金属前体处理所述光致抗蚀剂底层，其中所述金属前体渗入所述光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将所述经金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化的光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202111117990.3在审
发明人： K·杨;E·阿卡德;J·F·卡梅伦;S·M·科莱;M·哥斯瓦米;李忠奉;B·波普尔;J·W·萨克莱;B·温宁 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包含：第一聚合物，其包含含有羟基‑芳基基团的第一重复单元和含有酸不稳定基团的第二重复单元，其中，所述第一聚合物不包含内酯基团；第二聚合物，其包含含有羟基‑芳基基团的第一重复单元、含有酸不稳定基团的第二重复单元、和含有内酯基团的第三重复单元；光酸产生剂；以及溶剂。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物-CN202110934022.5在审
发明人： J·凯茨;刘盛;崔莉;山田晋太郎;S·M·科莱;L-S·科 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：其中Ar是单环或多环C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；R1是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基；并且R2是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基，其中R1和R2可以任选地一起形成环。
用于光致抗蚀剂底层涂料组合

[发明专利]底层组合物及图案化方法-CN202110946464.1在审
发明人： J·凯茨;刘盛;崔莉;山田晋太郎;J·F·卡梅伦;E·阿卡德;L-S·科;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08G8/04 文献下载
摘要：公开了一种底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元，其中Ar是单环或多环的C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；X是C或O；R1、R2、Ra和Rb是如本文所提供的；任选地，R1和R2可以一起形成5元至7元环；任选地，R11至R13中的一个可以与R1一起形成5元至7元环；其中Ra和Rb任选地可以一起形成5元至7元环；其中Ra或Rb中的一个任选地可以与R2一起形成5元至7元环；并且当X是O时，Ra和Rb是不存在的。
底层组合图案方法

[发明专利]涂层组合物及形成电子装置的方法-CN202110438835.5在审
发明人：刘盛;J·F·卡梅伦;山田晋太郎;I-S·科;张可人;S·M·科莱;崔莉;P·J·拉博姆;王德岩 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/025 文献下载
摘要：涂层组合物包含：可固化化合物，所述可固化化合物包含：核；以及三个或更多个具有式(1)的取代基；聚合物；以及一种或多种溶剂，其中总溶剂含量是基于所述涂层组合物的50至99wt％。还提供了用所述涂层组合物形成的经涂覆的基底以及使用所述组合物形成电子装置的方法。所述组合物、经涂覆的基底及方法特别适用于制造半导体装置。
涂层组合形成电子装置方法

[发明专利]硅基硬掩模-CN201810573028.2有效
发明人： S·M·科莱;P·J·拉博姆;山田晋太郎;C·W·卡里尔;崔莉;B·波普尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：硅基硬掩模。提供了用于形成较薄的含硅抗反射涂层的组合物和使用这些组合物制造电子装置的方法。由这些组合物形成的含硅抗反射涂层可以在加工期间容易地去除，而不需要单独的去除步骤。
硅基硬掩模

[发明专利]抗蚀剂底层组合物及使用此类组合物的图案形成方法-CN202010418531.8在审
发明人：崔莉;山田晋太郎;L-S·科;P·J·拉博姆;S·M·科莱;J·F·卡梅伦;张可人;J·凯茨 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：公开了一种抗蚀剂底层组合物，其包括：聚合物，所述聚合物具有聚合物主链和侧接到所述聚合物主链的取代或未取代的富勒烯基团；和溶剂，其量基于总的抗蚀剂底层组合物为50至99.9重量％。
抗蚀剂底层组合使用图案形成方法

[发明专利]用于底层的芳香族树脂-CN201711169511.6有效
发明人： S·山田;L·崔;C·吉尔摩;J·A·凯茨;S·刘;J·F·卡梅伦;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08G65/40 文献下载
摘要：芳香族树脂聚合物和含有其的组合物在半导体制造方法中适用作底层。
用于底层芳香族树脂

[发明专利]用于底层的芳香族树脂-CN201711162633.2有效
发明人： S·刘;山田晋太郎;J·F·卡梅伦;崔莉;S·M·科莱;J·A·凯茨;K·张 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：聚亚芳基树脂和含有其的组合物在半导体制造方法中适用作底层。
用于底层芳香族树脂

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成电子装置的相关方法-CN201510649917.9有效
发明人： P·J·拉博姆;V·吉安;S·M·科莱;J·W·萨克莱;J·F·卡梅伦隆;A·M·科沃克;D·A·瓦莱里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包括第一聚合物，其中至少一半的重复单元是光酸产生重复单元；和第二聚合物，其在酸的作用下在碱性显影剂中展现溶解度的变化。在所述第一聚合物中，所述光酸产生重复单元中的每一个包含光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团。
聚合物光酸光致抗蚀剂组合物碱性显影剂碱溶解度溶解度

[发明专利]包含具有光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团的重复单元的聚合物和相关光致抗蚀剂组合物和电子装置形成方法-CN201510650702.9有效
发明人： V·吉安;P·J·拉博姆;J·W·萨克莱;J·F·卡梅伦隆;S·M·科莱;A·M·科沃克;D·A·瓦莱里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08F120/38 文献下载
摘要：聚合物包括重复单元，所述重复单元中的至少一半是光酸产生重复单元。所述光酸产生重复单元中的每一个包括光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团。所述聚合物适用作光致抗蚀剂组合物的组分，所述光致抗蚀剂组合物进一步包括在酸的作用下在碱性显影剂中展现溶解度的变化的第二聚合物。
包含有光产生官能团溶解度增强重复单元聚合物相关光致抗蚀剂组合电子装置

[发明专利]包含具有光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团的重复单元的聚合物和相关光致抗蚀剂组合物和电子装置形成方法-CN201510650560.6有效
发明人： P·J·拉博姆;V·吉安;J·W·萨克莱;J·F·卡梅伦;S·M·科莱;A·M·科沃克;D·A·瓦莱里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08F120/38 文献下载
摘要：聚合物包括重复单元，所述重复单元中的大部分是光酸产生重复单元。所述光酸产生重复单元中的每一个包括光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团。所述光酸产生重复单元中的每一个包含阴离子和光酸产生阳离子，所述阴离子和所述光酸产生阳离子全体地具有结构(I)其中q、r、R¹、m、X和Z^‑是如本文中所定义。所述聚合物适用作光致抗蚀剂组合物的组分，所述光致抗蚀剂组合物进一步包括在酸的作用下在碱性显影剂中展现溶解度的变化的第二聚合物。
包含有光产生官能团溶解度增强重复单元聚合物相关光致抗蚀剂组合电子装置

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