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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括坩埚和调节构件的拉晶系统和方法-CN201810008152.4有效
发明人： S·塞佩达;R·J·菲利普斯;C·V·吕尔斯;S·L·金贝尔;H·W·科布;J·D·霍尔德;C·M·哈德森;H·斯里达哈拉默西;S·哈灵格尔;M·萨多尼 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于从熔体形成锭的系统和方法。所述系统包括：限定了用于接收熔体的空腔的坩埚；用于限制所述熔体移动的第一屏障和第二屏障，布置第一通道和第二通道以允许位于外区内的熔体移动到过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区。调节构件放置在所述区的至少一个中，并且布置成接触熔体以减少熔体中的微空隙的数量。
包括坩埚调节构件晶系方法

[发明专利]生产被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法-CN201680038780.6有效
发明人： S·巴萨克;G·萨曼塔;S·塞佩达;C·V·吕尔斯;S·L·金贝尔;C·M·哈德森;H·斯里达哈拉默西;R·斯卡拉;R·J·菲利普斯;T·N·斯瓦米纳坦;J·陈;S·W·帕尔默;P·D·维尔德斯 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：在本文中描述了生长被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法和根据该方法生长的锭。
生产挥发性掺杂单晶锭方法

[发明专利]用于提取液体的系统和方法-CN201680082869.2有效
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B01D9/00 文献下载
摘要：提供了一种用于提取液体的系统。该系统包括真空源和喷嘴，该喷嘴具有可润湿的柱塞和与真空源流动连通地连接的真空管。当柱塞部分地浸没在液体中并且真空源被致动以引发气体流经真空管时，液体的液滴与柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在气流中。该系统还包括冷却结构，该冷却结构定位在真空管附近，以有利于使悬浮在流经真空管的气体中的液滴凝固。
用于提取液体系统方法

[发明专利]用于流化床反应器的等静压石墨内衬-CN201680058765.8有效
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-10-04 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： F16L9/04 文献下载
摘要：一种流化床反应器，其包括多晶硅制备用内衬，该多晶硅制备用内衬具有沿轴线延伸的筒状管。该管包括内表面和外表面，该内表面和外表面限定出在其间的管厚度。该多晶硅内衬还包括围绕管的外表面缠绕的至少一层缠绕物。所述缠绕物防止管的径向膨胀。
用于流化床反应器静压石墨内衬

[发明专利]使用双层连续Czochralsk法低氧晶体生长的系统和方法-CN201680037893.4有效
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开了一种用于双层连续Cz晶体生长的方法和系统。该系统包括坩埚组件，坩埚组件包括外坩埚中的内坩埚，内坩埚限定生长区和进料区，坩埚组件包含熔融材料(例如硅)。该系统还包括接受器，用于向进料区提供连续进料的连续进料供应装置，以及设置在接受器周围的温度控制系统，该温度控制系统用于冷却生长区底部的硅区以形成固体层，该固体层有利于降低生长中的晶体中的氧浓度。该方法包括将熔融材料分离成生长区和进料区，在生长区的底部开始冷却，并在生长区的底部固化材料区，从而形成固体层。
使用双层连续 czochralsk 低氧晶体生长系统方法

[发明专利]用于防止熔体污染的拉晶机-CN201580050447.2有效
发明人： S·L·金贝尔;B·M·迈耶;S·塞佩达;S·J·弗格森 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种用于生长晶锭的拉晶机，该拉晶机包括壳体、隔离装置、坩埚组件、隔热罩和灰尘阻隔装置。该壳体包围生长室，并且具有上壁，该上壁具有内表面和孔。该隔离装置将壳体的内部分成上部区域和下部区域，并且具有中心开口。坩埚组件位于下部区域中以容纳熔体。隔热罩邻近隔离装置的中心开口，并且与坩埚组件构成迷宫式气体路径。灰尘阻隔装置从上壁的内表面延伸到隔离装置和隔热罩中的一个，并且围绕该孔与上壁构成密封，以阻止颗粒物通过壳体的上部区域进入生长室。
用于防止污染拉晶机

[发明专利]用于控制氧的坩埚组件和相关方法-CN201480027096.9有效
发明人： S·L·金贝尔;S·J·弗尔古森;T·N·斯瓦米纳坦;S·塞佩达;J·D·希尔克;J·C·侯泽;B·M·迈耶;J·D·霍尔德 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：用于从熔体生长晶锭的系统包括第一坩埚、第二坩埚和堰体。第一坩埚具有包括顶面的第一基部和形成第一腔室的第一侧壁。第二坩埚设置在第一坩埚的第一腔室内，并具有形成第二腔室的第二基部和第二侧壁。第二基部具有成形为允许第二基部搁靠在第一基部的顶面上的底面。第二坩埚包括允许熔体运动通过其中的坩埚通道。堰体设置在第二侧壁的内侧，以抑制熔体的从堰体外侧的位置向堰体内侧的位置的运动。
用于控制坩埚组件相关方法

[发明专利]将从单晶锭切割的单晶段再循环的方法-CN201680067118.3在审
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：提供了将从半导体或太阳能级材料的单晶锭切割的单晶段再循环的方法。该方法包括从单晶锭移除第一单晶段，将第一单晶段与第二单晶段连接以形成单晶段链，并将单晶段链引入半导体或太阳能级材料的熔体中。
单晶单晶锭太阳能级再循环段链半导体切割段连接熔体移除引入

[发明专利]使用多个相机测量晶体生长特征-CN201180068734.8有效
发明人： S·L·金贝尔;R·H·菲尔克霍夫 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：描述了对正从坩埚拉制的晶体的三维测量。第一相机在第一图像平面上捕获晶体的第一图像且第二相机在第二图像平面上捕获第二图像。生成在晶体生长期间晶体的数学模型。该模型包括多个模型取样点。在第一图像和第二图像内检测晶体生长特征。通过将该模型与第一图像内的所述至少一个晶体生长特征进行比较来确定第一误差值，并通过将该模型与第二图像内的所述至少一个晶体生长特征进行比较来确定第二误差值。通过调整该数学模型以使所确定的第一误差值和所确定的第二误差值最小化，来生成与所述至少一个晶体生长特征关联的估算的3-D度量值。
使用相机测量晶体生长特征

[发明专利]用于在定向固化炉中使用的坩埚-CN201180007764.8无效
发明人： R·J·菲利普斯;B·德维拉帕里;S·L·金贝尔;A·J·德什潘德 -专利权人： MEMC新加坡私人有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种定向固化炉包括坩埚组件，该坩埚组件包括：用于容纳熔体的坩埚，该坩埚具有壁和基部，所述基部中具有开口；支承所述坩埚的坩埚支承件；覆盖所述坩埚的盖。板被接收在所述基部的开口中。所述板具有比所述基部更高的导热系数。所述基部可以包括具有添加物的复合物，使得复合物基部具有比无添加物的可比较基部高的导热系数。
用于定向固化使用坩埚

[发明专利]涂覆坩埚及其制备方法和用途-CN201080041000.6无效
发明人： R·J·菲利普斯;S·L·金贝尔;A·德什潘德;石刚 -专利权人： MEMC新加坡私人有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：用于保持熔融半导体材料和用于通过定向凝固方法制备多晶硅锭的氮化硅涂覆的坩埚；用于涂覆坩埚的方法；用于制备硅锭和晶片的方法；用于涂覆坩埚的组合物，及具有低氧含量的硅锭和晶片。
坩埚及其制备方法用途

[发明专利]从硅熔体拉制多晶硅晶锭的方法和拉制组件-CN200980157622.2无效
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人： MEMC新加坡私人有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用直拉型拉晶机来生产多晶硅晶锭的方法，以及包含多个用于拉制多晶硅晶锭的籽晶的拉制组件。
硅熔体拉制多晶硅晶锭方法组件

[发明专利]制备用于硅晶体生长的硅粉熔体的方法-CN200980153695.4无效
发明人： J·马苏德;S·L·金贝尔 -专利权人： MEMC新加坡私人有限公司
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：制备用于根据丘克拉斯基法使单晶或多晶硅锭生长的硅粉熔体的方法，包括从该粉末中除去氧化硅；施加真空以除去空气和其它氧化气体；在该粉末熔融之中和之后控制该装料相对于加热器的位置，并将该装料保持高于其熔融温度达能使氧化物溶解的时间；和在坩埚侧壁与硅粉装料之间使用可移除的隔离物，以减少氧化物和硅桥。
制备用于晶体生长硅粉熔体方法

[发明专利]用于减少熔体污染和减少晶片污染的定向固化炉-CN200980136897.8有效
发明人： S·L·金贝尔;J·(J)·陈;R·G·施伦克;L·W·费里 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2009-09-19 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种定向固化炉，包括用于保持熔融硅的坩埚，以及覆盖该坩埚并且在熔融硅上方形成封闭部的盖。所述坩埚还包括在盖中的入口，该入口用于在熔融硅上方引入惰性气体以防止对熔融硅的污染。
用于减少污染晶片定向固化

[发明专利]用于连续测量硅岛高度的方法和装置-CN200980133069.9无效
发明人： Z·陆;S·L·金贝尔;R·H·菲尔克霍夫;J·C·侯泽 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：一种在硅熔化过程中连续测量未熔多晶硅岛的高度和形状的方法。该方法包括将聚焦的亮光投射至硅岛以在硅岛上产生亮点。该方法还包括在熔化过程中通过跟踪亮点电子测定硅岛的高度和形状。
用于连续测量高度方法装置

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