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- [发明专利]用于冷却磁路元件的方法和装置-CN200480017433.2有效
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R·M·奈斯;W·N·帕特洛;P·C·梅尔切;G·X·菲尔古森;R·B·萨特瑞
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西默股份有限公司
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2004-06-14
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2006-07-26
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H01F27/08
- 揭示了为磁路元件提供冷却的一种装置和方法，其中所述磁路元件具有放置在位于中央的至少一个芯支架构件壁的芯支架构件周围的磁芯，还可包括：芯支架冷却剂入口；芯支架冷却剂出口；包含在所述芯支架构件壁内并相互连接的多个互连的冷却剂流动通道，并被设置成使得冷却剂沿着从所述芯支架冷却剂入口到所述芯支架冷却剂出口的至少部分芯支架构件壁内的冷却剂流动通路，在所述芯支架构件壁内从一个冷却剂流动通道传递至下一个。所述装置还包括在各自芯支架冷却剂流动通道的每一端处每个芯支架冷却剂流动通道与液体连通压力流通装置液体连通，其中各自的液体连通压力流通装置沿着从芯支架冷却剂入口到芯支架冷却剂出口的冷却剂流动通路形成了用于各芯支架冷却剂流动通道的至少第一一个的出口压力流通装置以及用于各芯支架冷却剂流动通道的至少第二一个的入口压力流通装置。所述芯支架构件可以包括从所述芯支架构件延伸的凸缘，具有内部尺寸和外部尺寸的所述凸缘包括在所述芯支架冷却剂入口和所述芯支架冷却剂出口之间交替朝向内部尺寸并远离外部尺寸随后朝向外部尺寸并远离内部尺寸延伸的多个互连的凸缘冷却剂流动通道。包括有所述芯和芯支架的外壳包括外壳壁；外壳冷却剂入口；外壳冷却剂出口；以及多个互连的外壳冷却剂流动通道包含在外壳壁内，并被互连和设置成使得冷却剂沿着从外壳冷却剂入口到外壳冷却剂出口的至少一部分外壳壁内的冷却剂流动通路，在所述外壳壁内从一个冷却剂流动通道传递至下一个。所述外壳和芯支架形成至少一部分的电流流动通路，它们形成围绕磁芯的两匝。在本发明的另一个方面，可由导电材料薄膜涂敷总线工件(buswork)。
- 用于冷却磁路元件方法装置
- [发明专利]双室气体放电激光系统的时序控制-CN02823871.0有效
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A·I·厄肖夫;R·M·奈斯
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西默股份有限公司
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2002-10-23
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2005-03-16
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H01S3/22
- 用于注射下种式模块化气体放电激光器(11)的反馈时序控制设备和方法。一优选的实施例是一种能够在脉冲频率约为4,000Hz或更大且脉冲能量约为5至10mJ或更大时产生集成输出约为20至40瓦或更大的高质量脉冲激光束的系统。反馈时序控制经程序化以使得在某些情况下能够对放电进行定时，致使系统不会输出显著的激光能量。使用这种技术允许进行猝发模式操作，在该操作中猝发的第一放电是无输出放电，使得两室各自的时序参数能在猝发的第一激光输出脉冲之前被监测到。提供了两个分离的放电室，其中一室是主振荡器的一部分，主振荡器产生带宽非常窄的种子束，然后经第二放电室放大。可以单独控制各室，以使主振荡器的波长参数以及放大室的脉冲能量参数最优化。
- 气体放电激光系统时序控制
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