专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]利用电镀的导电过孔形成-CN200880006417.1有效
  • T·G·斯巴克斯;R·E·琼斯 - 飞思卡尔半导体公司
  • 2008-01-25 - 2010-01-06 - H01L21/3205
  • 本发明讨论一种形成导电过孔的方法,该方法包括在半导体衬底(103)的第一侧面(125)之上形成种籽层,其中,该半导体衬底包括第一侧面相对的第二侧面(127),从半导体衬底的第二侧面在半导体衬底中形成过孔(329),其中过孔暴露种籽层;以及从种籽层在过孔中电镀导电过孔材料(601,603)。在一个实施例中,在种籽层之上形成连续导电层(116)并且将连续导电层(116)电耦合到种籽层。连续导电层可以在电镀导电过孔材料时充当电流源。
  • 利用电镀导电形成
  • [发明专利]具有不同表面取向的SOI活性层-CN200680046979.X有效
  • O·O·艾蒂图图;R·E·琼斯;T·R·怀特 - 飞思卡尔半导体公司
  • 2006-11-28 - 2008-12-24 - H01L21/00
  • 一种具有SOI构造并且活性区域对于不同沟道类型晶体管具有不同表面取向的晶片。在一个实例中,具有第一表面取向的半导体结构(201,203,205)形成在施主晶片(101)上。具有第二表面取向的半导体结构(401,403,405)形成在第二晶片(301)上。受体开口形成在第二晶片(301)上。具有第一表面取向的半导体结构位于受体开口中并转移到第二晶片。作为结果的晶片具有对于第一沟道类型的晶体管具有第一表面取向的半导体区域以及对于第二沟道类型的晶体管具有第二表面取向的半导体区域。
  • 具有不同表面取向soi活性

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