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[发明专利]用于计算机断层成像和其它成像应用的背照式光电晶体管阵列-CN200780012926.0无效
发明人： R·A·梅茨勒;A·O·古什查 -专利权人：森米科公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：用于计算机断层成像和其它成像应用的背照式光电晶体管阵列。公开了实施例，其使用每一像素具有单个光电传感器和晶体管或每一像素具有多个光电传感器和晶体管的双极晶体管和JFET。
用于计算机断层成像其它应用背照式光电晶体管阵列

[发明专利]超薄背发光光电二极管阵列结构及制造方法-CN200480024727.8无效
发明人： A·O·古什查;C·希克斯;R·A·梅茨勒;M·卡拉特斯基;E·巴特利;D·图尔博尔 -专利权人：森米科公司
申请日： 2004-06-22 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：超薄背发光光电二极管阵列和制造方法。光电二极管阵列是具有第一导电型基底的背发光光电二极管阵列，所述基底具有第一和第二表面，所述第二表面具有一第一导电型层，所述第一导电型层具有比所述基底大的电导率。所述阵列还具有第一导电型区域的矩阵，所述区域具有比所述基底大的电导率，该区域的矩阵从基底的第一表面延伸到所述具有比基底大的电导率的第一导电型层；多个散布在第一导电型区域的矩阵内的第二导电型区域，该第二导电型区域没有延伸至基底第二表面上的第一导电型层；以及多个第一表面上的触点，用于电连接至所述第一导电型区域的矩阵和所述多个第二导电型的区域。
超薄发光光电二极管阵列结构制造方法

[发明专利]芯片上电源-CN200480011289.1无效
发明人： R·A·梅茨勒 -专利权人：集成离散设备有限责任公司
申请日： 2004-02-24 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种用于从外部信号电路抽取电能以对集成电路二极管(ICD)的芯片上元件供电的技术利用了集成的二极管和电容器。在ICD阻挡外部电流流动期间，电容器被外部施加电压充电。然后已被充电的电容器充当电池以对芯片上电路供电，从而为ICD工作提供有源控制。该ICD可被提供为二端分立二极管，或被集成到更大的IC上。利用低功率逻辑信号触发将提供比该逻辑信号可提供的大得多的栅极驱动的内部电路，前述技术可被用于“自供电的”MOSFET IC(ICM)。该电路也可被提供为分立三端元件，或被集成到更大的IC内。
芯片电源

[发明专利]垂直金属氧化物半导体场效应二极管-CN02814795.2无效
发明人： R·A·梅茨勒 -专利权人：弗拉姆技术公司
申请日： 2002-05-08 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件，它用半导体底座(304)形成，并具有一个二极管端子(324)作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅(318)与漏(312)之间的公共连接以及一个二极管端子(330)作为对垂直金属氧化物半导体场效应器件的源(314)的公共连接。还公开了垂直金属氧化物半导体场效应器件的制造方法。
垂直金属氧化物半导体场效应二极管

[发明专利]垂直结型场效应半导体二极管-CN01821925.X无效
发明人： R·A·梅茨勒 -专利权人：弗拉姆技术公司
申请日： 2001-10-18 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体二极管(320)是二极管连接的垂直柱面体场效应器件，它有作为在垂直柱面体场效应器件的栅(312)和源/漏(309)之间共用连接的一个二极管引接端。对此二极管连接的垂直柱面体场效应器件的形成方法予以公开。
垂直场效应半导体二极管

[发明专利]具有第一和第二二极管接触的二极管-CN98804966.X无效
发明人： R·A·梅茨勒;V·罗多夫 -专利权人：弗拉姆技术公司
申请日： 1998-01-19 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一种半导体二极管，具有低正向导通压降、低反向漏电流和高电压能力，适合于用在集成电路中和用做分立器件。可以和具有公用的栅和漏连接的场效应器件的制备一样，通过提供了很短沟道、浅漏区和纵向缓变结的工艺制备半导体二极管。在特别设置的锥形边缘场氧化物(34)上连续的栅/漏接触层使器件的击穿电压最大。优选的制造技术利用了四个掩蔽步骤，都不需要任何苛刻的掩模对准要求。公开了各种实施例。
具有第一第二二极管接触