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[发明专利]FinFET和形成该FinFET的方法-CN201410671056.X在审
发明人： R·拉玛钱德兰;H·K·尤托莫;R·维加 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET器件和形成该FinFET器件的方法。所述FinFET器件包括：半导体基板；三维鳍片，其垂直于半导体基板定向；局部沟槽隔离，其在三维鳍片与相邻的三维鳍片之间；氮化物层，其在局部沟槽隔离上；栅极叠层，其围绕三维鳍片的中心部分卷绕，并且延伸通过氮化物层；侧壁间隔物，其与栅极叠层相邻，并且与氮化物层间接接触，三维鳍片的两端从侧壁间隔物延伸，第一端用于FET器件的源极，第二端用于FET器件的漏极；以及外延层，其覆盖三维鳍片的每端，并且在氮化物层上。还公开了制造FinFET器件的方法。
finfet 形成方法

[发明专利]用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触-CN201280004545.9有效
发明人： R·拉玛钱德兰;R·迪瓦卡鲁尼;李影 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包括具有位于半导体衬底的表面上的多个栅极堆叠14’的半导体衬底12。每个栅极堆叠从底部至顶部包括高k栅极电介质层42、功函数金属层44和导电金属46。间隔物22位于每个栅极堆叠的侧壁上，并且自对准电介质衬垫30存在于每个间隔物的上表面上。每个自对准电介质衬垫30的底表面存在于半导体金属合金28的上表面上。接触金属34位于相邻栅极堆叠之间并且通过自对准电介质衬垫30与每个栅极堆叠分隔开。结构也包括另一接触金属60，具有位于接触金属的上表面上并且与其直接接触的一部分以及位于一个栅极堆叠的导电金属上并且与其直接接触的另一部分。也公开了一种使用替换栅极和非替换栅极方案的形成半导体结构的方法。
用于金属工艺流程对准接触

[发明专利]适用于数据采集，分析和控制的附加系统和装置-CN201210140853.6有效
发明人： M·A·凯斯四世;T·D·舒雷斯;M·J·尼克松;R·埃迪;T·L·布莱文斯;R·拉玛钱德兰 -专利权人：费舍-柔斯芒特系统股份有限公司
申请日： 2003-03-06 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明涉及适用于数据采集，分析和控制的附加系统和装置。一种附加系统包括多个附加装置，该附加装置适用于通过通讯网络在相互间和/或与工作站之间的协调来监测和/或控制过程。每个附加装置都可与一个或多个传感器和/或控制输出相通讯，并包括便于将附加装置安装在表面的外壳。
适用于数据采集分析控制附加系统装置

[发明专利]适用于数据采集，分析和控制的附加系统和装置-CN03120252.7无效
发明人： M·A·凯斯四世;T·D·舒雷斯;M·J·尼克松;R·埃迪;T·L·布莱文斯;R·拉玛钱德兰 -专利权人：费舍－柔斯芒特系统股份有限公司
申请日： 2003-03-06 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种附加系统包括多个附加装置，该附加装置适用于通过通讯网络在相互间和/或与工作站之间的协调来监测和/或控制过程。每个附加装置都可与一个或多个传感器和/或控制输出相通讯，并包括便于将附加装置安装在表面的外壳。
适用于数据采集分析控制附加系统装置