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[发明专利]具有不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件-CN201910720996.6在审
发明人： J·C·普里蒂斯库奇;R·希尔德布兰特 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件。带有不同电学特性的第一和第二晶体管由具有第一类型掺杂物的衬底支撑。该第一晶体管包括：在该衬底之内具有该第一类型掺杂物的阱区、在该阱区之内具有第二类型掺杂物的第一本体区以及在该第一本体区之内并且从该阱区横向地偏移了第一沟道的第一源极区。该第二晶体管包括在该半导体衬底层之内具有该第二类型掺杂物的第二本体区以及在该第二本体区之内并且从该衬底的材料横向地偏移了第二沟道的第二源极区，该第二沟道具有的长度大于该第一沟道的长度。栅极区在该第一本体区和该第二本体区的多个部分之上延伸以分别用于该第一沟道和该第二沟道。
沟道掺杂物电学特性晶体管阱区不对称结构源极区偏移衬底构型半导体衬底层材料横向衬底支撑栅极区延伸

[发明专利]具有不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件-CN201510844861.2有效
发明人： J·C·普里蒂斯库奇;R·希尔德布兰特 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有引入不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件。带有不同电学特性的第一和第二晶体管由具有第一类型掺杂物的衬底支撑。该第一晶体管包括：在该衬底之内具有该第一类型掺杂物的阱区、在该阱区之内具有第二类型掺杂物的第一本体区以及在该第一本体区之内并且从该阱区横向地偏移了第一沟道的第一源极区。该第二晶体管包括在该半导体衬底层之内具有该第二类型掺杂物的第二本体区以及在该第二本体区之内并且从该衬底的材料横向地偏移了第二沟道的第二源极区，该第二沟道具有的长度大于该第一沟道的长度。栅极区在该第一本体区和该第二本体区的多个部分之上延伸以分别用于该第一沟道和该第二沟道。
具有引入不同电学特性不对称结构构型 mosfet 器件

[实用新型]集成电路-CN201520963553.7有效
发明人： J·C·普里蒂斯库奇;R·希尔德布兰特 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型的各个实施例涉及集成电路。带有不同电学特性的第一和第二晶体管由具有第一类型掺杂物的衬底支撑。该第一晶体管包括：在该衬底之内具有该第一类型掺杂物的阱区、在该阱区之内具有第二类型掺杂物的第一本体区以及在该第一本体区之内并且从该阱区横向地偏移了第一沟道的第一源极区。该第二晶体管包括在该半导体衬底层之内具有该第二类型掺杂物的第二本体区以及在该第二本体区之内并且从该衬底的材料横向地偏移了第二沟道的第二源极区，该第二沟道具有的长度大于该第一沟道的长度。栅极区在该第一本体区和该第二本体区的多个部分之上延伸以分别用于该第一沟道和该第二沟道。
集成电路