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[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN202311025039.4在审
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体晶片，其包括第一数目的半导体管芯；提供第二半导体晶片，其包括多个半导体管芯；从第一半导体晶片和第二半导体晶片单切半导体管芯；提供标准化载体；将第一数目的半导体管芯设置在所述标准化载体上；将多个半导体管芯的一部分设置在所述标准化载体上；将密封剂沉积在所述半导体管芯和标准化载体上；以及通过所述密封剂进行单切以形成半导体封装。根据本发明的方法，使用能够处理多种尺寸的半导体管芯和引入的晶片的设备和载体来高效地制造半导体器件。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]半导体器件和制作半导体器件的方法-CN201910221890.1有效
发明人： P.C.马里穆图;沈一权;林耀剑;崔源璟 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和制作半导体器件的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN201910163351.7有效
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体晶片，其包括第一数目的半导体管芯；提供第二半导体晶片，其包括多个半导体管芯；从第一半导体晶片和第二半导体晶片单切半导体管芯；提供标准化载体；将第一数目的半导体管芯设置在所述标准化载体上；将多个半导体管芯的一部分设置在所述标准化载体上；将密封剂沉积在所述半导体管芯和标准化载体上；以及通过所述密封剂进行单切以形成半导体封装。根据本发明的方法，使用能够处理多种尺寸的半导体管芯和引入的晶片的设备和载体来高效地制造半导体器件。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线-CN202111652024.1在审
发明人： P.C.马里穆图;龙昌范;A.K.虞;林耀剑 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线。一种半导体器件具有半导体管芯和沉积在该半导体管芯上面的封装剂。在封装剂的第一表面上面形成具有天线的第一导电层。在封装剂的第二表面上面形成具有地平面的第二导电层，其中天线位于地平面的占用空间内。在地平面上形成导电凸块。在封装剂的第一表面上面形成第三导电层。在封装剂的第二表面上面形成第四导电层。在沉积封装剂之前邻近半导体管芯设置导电通孔。天线通过导电通孔耦合至半导体管芯。利用天线和半导体管芯之间的导电通孔来形成天线。将PCB单元设置在封装剂中。
嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线

[发明专利]形成扇出封装体叠层器件的半导体方法和器件-CN201810182803.1有效
发明人：林耀剑;P.C.马里穆图;陈康;Y.顾 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及形成扇出封装体叠层器件的半导体方法和器件。半导体器件包含具有管芯附连区域的载体。半导体管芯以后表面与载体相对方式安装到管芯附连区域。模块化互连单元安装在载体上并且在半导体管芯周围的外围区域周围或中，使得模块化互连单元从半导体管芯的后表面偏移。密封剂沉积在载体、半导体管芯和模块化互连单元上。密封剂的第一部分被移除以露出半导体管芯，并且第二部分被移除以露出模块化互连单元。载体被移除。互连结构形成于半导体管芯和模块化互连单元上。模块化互连单元包括穿过半导体器件的垂直互连结构或凸块。模块化互连单元在半导体管芯周围形成互锁图案的部分。
形成封装体叠层器件半导体方法

[发明专利]半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法-CN201810430430.5有效
发明人：尹胜煜;J.A.卡帕拉斯;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法。一种半导体器件，具有半导体管芯，其具有沉积在半导体管芯之上和周围的密封剂。在密封剂的第一表面之上形成互连结构。形成从密封剂的第二表面到密封剂的第一表面的开口以暴露互连结构的表面。凸块形成为在开口内凹进并被设置在互连结构的表面之上。提供一种半导体封装。半导体封装被设置在密封剂的第二表面之上并且被电连接到凸块。在半导体封装之上形成多个互连结构以将半导体封装电连接到凸块。半导体封装包括存储器件。半导体器件包括小于1毫米的高度。开口包括通过激光直接烧蚀形成的锥形侧壁。
半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列激光封装方法

[发明专利]嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线-CN201811422517.4有效
发明人： P.C.马里穆图;龙昌范;A.K.虞;林耀剑 -专利权人：新科金朋私人有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体器件具有半导体管芯和沉积在该半导体管芯上面的封装剂。在封装剂的第一表面上面形成具有天线的第一导电层。在封装剂的第二表面上面形成具有地平面的第二导电层，其中天线位于地平面的占用空间内。在地平面上形成导电凸块。在封装剂的第一表面上面形成第三导电层。在封装剂的第二表面上面形成第四导电层。在沉积封装剂之前邻近半导体管芯设置导电通孔。天线通过导电通孔耦合至半导体管芯。利用天线和半导体管芯之间的导电通孔来形成天线。将PCB单元设置在封装剂中。
嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线

[发明专利]半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法-CN202111287658.1在审
发明人： T.J.斯特罗思曼;D.M.普里科洛;沈一权;林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法。一种半导体器件具有载体，该载体具有固定尺寸。从第一半导体晶圆中将多个第一半导体管芯分割。第一半导体管芯设置在载体上面。载体上面的第一半导体管芯的数目独立于从该第一半导体晶圆中分割的第一半导体管芯的尺寸和数目。在第一半导体管芯和载体上面以及在第一半导体管芯和载体周围淀积密封剂来形成重构的面板。在该重构的面板上面形成互连结构，同时使得密封剂缺乏该互连结构。经过密封剂将该重构的面板分割。从载体中去除第一半导体管芯。具有与第一半导体管芯的尺寸不同的尺寸的第二半导体管芯设置在载体上面。载体的固定尺寸独立于第二半导体管芯的尺寸。
半导体器件半导体封装使用标准化载体方法

[发明专利]半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法-CN201911325388.1在审
发明人：林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：半导体装置具有半导体晶片，其包括多个半导体管芯。在该半导体晶片上形成绝缘层。绝缘层的一部分通过LDA而去除来暴露半导体管芯的有源表面的一部分。在半导体管芯的有源表面上的接触盘上形成第一导电层。使半导体晶片单个化来将半导体管芯分开。半导体管芯设置在载体上，其中半导体管芯的有源表面偏离该载体。密封剂沉积在半导体管芯和载体上来覆盖半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分。互连结构在第一导电层上形成。备选地，MUF材料沉积在半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分上。
半导体装置密封剂沉积嵌入式 wlcsp 中的方法

[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN201310671468.9有效
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种半导体器件包括标准化载体。半导体晶片包括多个半导体管芯和基底半导体材料。通过基底半导体材料的第一部分单切半导体晶片以分离半导体管芯。将半导体管芯设置在标准化载体上。标准化载体的尺寸与半导体管芯的尺寸无关。将密封剂沉积在标准化载体上且在半导体管芯周围。在半导体管芯上形成互连结构，同时使得密封剂没有互连结构。通过密封剂单切半导体器件。密封剂保持设置在半导体管芯的侧面上。可替换地，通过基底半导体的第二部分且通过密封剂来单切半导体器件以从半导体管芯的侧面去除基底半导体的第二部分和密封剂。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]半导体器件和形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出式封装的方法-CN201310669363.X有效
发明人： P.C.马里穆图;沈一权;林耀剑;崔源璟 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出式封装的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。
半导体器件形成具有垂直互连单元轮廓扇出式封装方法

[发明专利]在半导体管芯上形成细节距的RDL的半导体器件和方法-CN201410814198.7有效
发明人： P.C.马里穆图;林耀剑;崔源璟;沈一权 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体管芯上形成细节距的RDL的半导体器件和方法。半导体器件具有包括多个导电迹线的第一导电层。第一导电层形成在衬底上。利用窄节距形成导电迹线。在第一导电层上放置第一半导体管芯和第二半导体管芯。在第一和第二半导体管芯上沉积第一密封剂。移除衬底。在第一密封剂上沉积第二密封剂。在第一导电层和第二密封剂上形成堆积互连结构。堆积互连结构包括第二导电层。在第一密封剂中放置第一无源器件。在第二密封剂中放置第二无源器件。在第二密封剂中放置垂直互连单元。第三导电层形成在第二密封剂上并且经由垂直互连单元电气连接到堆积互连结构。
半导体管芯形成细节 rdl 半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310142037.3有效
发明人：沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体器件及其制作方法。一种半导体器件，具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]形成扇出封装体叠层器件的半导体方法和器件-CN201310024110.7有效
发明人：林耀剑;P.C.马里穆图;陈康;Y.顾 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成扇出封装体叠层器件的半导体方法和器件。半导体器件包含具有管芯附连区域的载体。半导体管芯以后表面与载体相对方式安装到管芯附连区域。模块化互连单元安装在载体上并且在半导体管芯周围的外围区域周围或中，使得模块化互连单元从半导体管芯的后表面偏移。密封剂沉积在载体、半导体管芯和模块化互连单元上。密封剂的第一部分被移除以露出半导体管芯，并且第二部分被移除以露出模块化互连单元。载体被移除。互连结构形成于半导体管芯和模块化互连单元上。模块化互连单元包括穿过半导体器件的垂直互连结构或凸块。模块化互连单元在半导体管芯周围形成互锁图案的部分。
形成封装体叠层器件半导体方法

[发明专利]半导体装置和将线柱形成为FO‑WLP中的垂直互连的方法-CN201310149140.0有效
发明人： P.C.马里穆图;S.M.L.阿尔瓦雷斯;林耀剑;J.A.卡帕拉斯;陈严谨 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：半导体装置具有衬底和设置在该衬底的第一表面上的半导体管芯。线柱附连到该衬底的第一表面。线柱包括基底部分和杆部分。接合盘在衬底的第二表面上形成。密封剂沉积在衬底、半导体管芯和线柱上。密封剂的一部分通过LDA去除来暴露线柱。密封剂的一部分通过LDA去除来暴露衬底。互连结构在密封剂上形成并且电连接到线柱和半导体管芯。凸点在互连结构上形成。半导体封装件设置在密封剂上并且电连接到衬底。分立半导体装置设置在密封剂上并且电连接到衬底。
半导体装置将线柱形成 fo wlp 中的垂直互连方法

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