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[发明专利]对等离子体系统的非侵入式测量-CN202180079921.X在审
发明人： P·麦克纳利;D·科茨;N·麦凯拉尔特;S·凯利;R·K·维杰亚拉加范 -专利权人：都柏林城市大学
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于测量等离子体或等离子体腔室的特征的系统和方法，其中，该等离子体腔室具有电磁辐射可穿透的视口或表面，使得该等离子体腔室中的等离子体发射的至少一部分电磁辐射通过该视口，该方法包括：在该等离子体腔室外部设置无线电发射光谱(RES)系统的天线，该RES系统用于吸收已经通过该视口的至少一部分电磁辐射并且被配置为测量近场E场和B场区域中的信号；基于在该天线中感应到的信号来测量第一值，其中，该信号是从被配置为以一个或多个电源独立调制的多个供电的RF电极中获得的；以及基于该第一值的大小的变化来计算指示该特征的大小的变化的第二值，其中，该特征是等离子体功率和/或等离子体压力。
等离子体系统侵入测量

[发明专利]具有高信噪比和电噪声抗扰度的电磁场信号采集系统-CN202180030090.7在审
发明人： A·迪·利贝托;D·科茨;N·麦凯拉尔特;S·凯利;P·麦克纳利;R·K·维杰亚拉加范 -专利权人：都柏林城市大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测由等离子体发出的电磁辐射或信号的装置和方法，该装置包括传感器单元，该感测单元包括：用于检测电磁辐射或信号的第一传感器；电磁屏障，其中，该电磁屏障被配置为绕该第一传感器以防止环境电磁辐射到达该第一传感器；第一端口，电磁辐射可以通过该端口，该端口被配置用于耦合到等离子体室的端口，使得从该等离子体发出的电磁辐射或信号可以到达该第一传感器；以及第一输出，该第一输出与巴伦和双同轴系统耦合，由此，感测到的信号接地并且该信号的反相版本接地。还描述了一种用于检测由等离子体发出的电磁辐射的信号采集系统(SAS)。
具有高信噪噪声抗扰度电磁场信号采集系统

[发明专利]具有管芯和穿衬底过孔的半导体器件-CN201410255113.6有效
发明人： X·应;A·V·萨莫伊洛夫;P·麦克纳利;T·帕伦特 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及具有管芯和穿衬底过孔的半导体器件。描述的半导体器件具有形成在其中的穿衬底过孔。在一个或多个实施方式中，半导体器件包括用粘结材料接合在一起的半导体晶片和集成电路管芯。半导体晶片和集成电路管芯包括形成在其中的一个或多个集成电路。集成电路连接到配置在半导体晶片和集成电路管芯的表面上的一个或多个导电层。形成穿过半导体晶片和构图的粘结材料的过孔以使得电互连可以形成在该半导体晶片中的集成电路和集成电路管芯中的集成电路之间。该过孔包括导电材料以在该半导体晶片和该集成电路管芯之间提供电互连。
具有管芯衬底半导体器件