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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅外延-CN201710218892.6在审
发明人： P·阔德 -专利权人：砧半导体有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种方法，所述方法包括提供单晶体硅晶片(11)，该单晶体硅晶片具有主表面(17)，该主表面支撑掩蔽层(24)，例如，二氧化硅或多晶硅，该掩蔽层具有窗口(25)，该窗口用来暴露硅晶片的对应区域，在晶片的暴露区域上形成碳化硅种子区域(30)，例如通过形成碳并且将该碳转化为碳化硅，和在所述碳化硅种子区域上生长单晶体碳化硅(31)。因此，单晶体碳化硅能够选择性地形成在硅晶片上，这可以有助于避免晶片翘曲。
碳化硅外延

[发明专利]高压半导体设备-CN201580062362.6在审
发明人： P·阔德;N·洛菲提斯;T·特拉伊科维奇;F·乌德雷亚 -专利权人：砧半导体有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了高电压半导体设备,其包括第二导电类型的半导体基底；第二导电类型的半导体漂移区域被设置在半导体基底上，半导体基底区域具有比漂移区域更高的掺杂浓度；与第二导电类型相反的第一导电类型的半导体区域，被形成在设备的表面上并且在半导体漂移区域内，半导体区域具有比漂移区域更高的掺杂浓度；并且，第一导电类型的横向延伸部从半导体区域横向延伸到漂移区域中，该横向延伸部与设备的表面间隔开。
高压半导体设备

[发明专利]碳化硅外延-CN201280052855.8有效
发明人： P·阔德 -专利权人：砧半导体有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种方法，所述方法包括：提供单晶体硅晶片(11)，该单晶体硅晶片具有主表面(17)，该主表面支撑掩蔽层(24)，例如，二氧化硅或多晶硅，该掩蔽层具有窗口(25)，该窗口用来暴露硅晶片的对应区域，在晶片的暴露区域上形成碳化硅种子区域(30)，例如通过形成碳并且将该碳转化为碳化硅，和在所述碳化硅种子区域上生长单晶体碳化硅(31)。因此，单晶体碳化硅能够选择性地形成在硅晶片上，这可以有助于避免晶片翘曲。
碳化硅外延

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