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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]处理腔室和适合在处理腔室的端点检测系统中使用的倾斜窗口-CN201921753152.3有效
发明人：连雷;P·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开了一种处理腔室和适合在处理腔室的端点检测系统中使用的倾斜窗口。所述倾斜窗口具有安装框架，所述安装框架具有主体，所述主体包括第一区段和垂直于所述第一区段延伸的第二区段。所述第二区段具有上表面和底表面，所述第二区段的上表面相对于所述第二区段的底表面以第一锐角倾斜并且相对于所述第一区段以第二锐角倾斜。所述倾斜窗口具有面板，所述面板包括顶表面、底表面和侧壁。所述面板设置在所述安装框架中。所述面板的所述侧壁邻近所述安装框架的所述第一区段。搁置在所述安装框架的所述第二区段的所述上表面上的所述面板的所述底表面相对于所述安装框架的所述第二区段的所述底表面成所述第一锐角。
处理适合端点检测系统使用倾斜窗口

[发明专利]消除干涉端点检测系统中的内部反射-CN201910993086.5在审
发明人：连雷;P·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种用于操作处理腔室的端点检测系统的方法，所述处理腔室具有形成在其中的顶板、位于所述处理腔室内的基板支撑件和搁置在所述基板支撑件上的基板。透明面板位于所述处理腔室的所述顶板中，所述面板相对于所述基板和所述基板支撑件以第一锐角定向。所述透明面板从所述端点检测系统接收相对于所述面板为第二锐角的入射光束。所述透明面板以垂直于所述基板和所述基板支撑件的角度将所述入射光束传输到所述处理腔室内的所述基板。
消除干涉端点检测系统中的内部反射

[发明专利]具有从受保护总线耦合到地的FET器件的保护电路-CN201910198840.6在审
发明人：华雷;W·A·拉塞尔;C·黄;B·梁;P·韩 -专利权人：升特股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：半导体器件包括电压输入电路节点和接地节点。第一晶体管耦合在电压输入电路节点和接地节点之间。触发电路与第一晶体管并联耦合在电压输入电路节点和接地节点之间。触发电路包括触发二极管。触发电路的输出耦合到第一晶体管的控制端子。通过在电压输入电路节点和接地节点之间耦合负载来为负载供电。
电压输入电路接地节点触发电路触发二极管电路半导体晶体管并联晶体管耦合负载供电控制端子输出耦合总线耦合耦合负载耦合受保护晶体管

[发明专利]高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法-CN201180047348.0有效
发明人： P·韩;J·田;K·曼尼欧;B·斯通 -专利权人： H.C.材料公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
高频压电晶体复合材料用于制造装置方法

[外观设计]建筑物-CN201630362558.4有效
发明人： C·D·匹克;J·P·西格尔;C·M·格林;D·纳尔逊;S·贝林;D·萨默菲尔德;J·麦格拉斯;P·韩;A·帕金森 -专利权人：苹果公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： 25-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称建筑物。2．本外观设计产品的用途建筑物。3．本外观设计的设计要点形状。4．最能表明设计要点的图片或者照片立体图1。5．视图中的斜阴影线为透明画法。
建筑物

[发明专利]电光单晶元件、该元件的制造方法以及使用该元件的系统-CN201380026516.7在审
发明人： P·韩;W·严 -专利权人： P·韩
申请日： 2013-04-04 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及电光(E-O)晶体元件、其应用及制造方法。更具体而言，本发明涉及E-O晶体元件(其可以由掺杂的或未掺杂的PMN-PT、PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制造)，该晶体元件显示出超高的线性E-O系数γc(例如横向有效线性E-O系数γTc高于1100pm/V，而纵向有效线性E-O系数γlc至多达到527pm/V)，这使得在多种调变、通讯、激光和工业用途中，得到低于200V的Vlπ和低于大约87V的VTπ的极低的半波电压。
电光元件制造方法以及使用系统

[发明专利]高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法-CN201180047368.8有效
发明人： P·韩;J·田;K·曼尼欧;B·斯通 -专利权人： H.C.材料公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
高频压电晶体复合材料用于制造装置方法

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