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[发明专利]用于字线开关晶体管的具有多个阱的非易失性存储器-CN202280016604.8在审
发明人：邵世谦;外山史晃;水谷祐树;M·邓加;P·拉布金 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：非易失性存储器包括非易失性存储器阵列，该非易失性存储器阵列包括非易失性存储器单元的块、连接到该存储器单元的位线和连接到该存储器单元的字线。字线开关晶体管将该字线连接到电压源。该字线开关晶体管位于三阱中。利用多个三阱，并且基于在编程过程期间使用的字线电压范围将该字线开关晶体管分组到三阱中。在一个实施方案中，对于给定块，连接到数据字线的字线开关晶体管位于第一三阱中，并且连接到选择及虚设字线的字线开关晶体管位于第二三阱中。这种结构允许这些三阱被不同地偏置。
用于开关晶体管具有多个阱非易失性存储器

[发明专利]采用金属-半导体接合与金属-金属接合的接合组件及其形成方法-CN202280015800.3在审
发明人：侯琳;P·拉布金;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种第一半导体裸片和第二半导体裸片的接合组件，该接合组件包括第一半导体裸片和第二半导体裸片。该第一半导体裸片包括第一半导体器件、第一金属互连结构和第一金属接合垫，该第一金属互连结构嵌入在第一介电材料层中，该第一金属接合垫被半导体材料层横向地包围。该第二半导体裸片包括第二半导体器件、第二金属互连结构和第二金属接合垫，该第二金属互连结构嵌入在第二介电材料层中，该第二金属接合垫包括主金属接合垫和辅助金属接合垫。该辅助金属接合垫穿过由该半导体材料层的表面部分和辅助金属接合垫的反应形成的金属‑半导体化合物部分而接合到该半导体材料层。该主金属接合垫通过金属到金属接合而接合到该第一金属接合垫。
采用金属半导体接合组件及其形成方法

[发明专利]具有金属合金接合垫的接合半导体裸片组件和其形成方法-CN202180089386.6在审
发明人：侯琳;P·拉布金;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：一种接合组件包含第一半导体裸片和第二半导体裸片。所述第一半导体裸片包含嵌入于第一电介质材料层中的第一金属接合垫，所述第二半导体裸片包含嵌入于第二电介质材料层中的第二金属接合垫，所述第一金属接合垫接合到所述第二金属接合垫中的相应一者；且所述第一金属接合垫中的每一者包含腐蚀屏障层，所述腐蚀屏障层含有主接合金属与不同于所述主接合金属的至少一种腐蚀抑制元素的合金。
具有金属合金接合半导体组件形成方法

[发明专利]用于提高穿衬底通孔结构的可靠性的多孔阻挡层及其形成方法-CN201980079345.1有效
发明人：吴晨;P·拉布金;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：第一半导体器件、第一介电材料层、多孔介电材料层和形成在第二介电材料层内的金属互连结构形成在第一半导体衬底的前侧表面上。形成延伸穿过该第一半导体衬底和该第一介电材料层的通孔腔。该通孔腔在该多孔介电材料层上停止。在其中没有任何实心材料的连续孔网络从该通孔腔的底部连续地延伸至该金属互连结构的表面。穿衬底通孔结构形成在该通孔腔中。该穿衬底通孔结构包括多孔金属材料部分，该多孔金属材料部分填充该连续孔网络并且接触该金属互连结构的表面部分。可通过使用该多孔金属材料部分而使对该第一半导体器件的蚀刻损伤和金属颗粒生成最少化。
用于提高衬底结构可靠性多孔阻挡及其形成方法

[发明专利]防界面倾斜接合组件及其形成方法-CN202180006653.9在审
发明人：侯琳;P·拉布金;陈杨胤;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供第一接合单元，该第一接合单元包括第一衬底、第一钝化介电层和第一接合焊盘。提供第二接合单元，该第二接合单元包括第二衬底、第二钝化介电层和第二接合焊盘，该第二接合焊盘包括接合柱结构。在该第一接合焊盘的物理地暴露的表面上形成焊料材料部分。通过将该接合柱结构中的至少一个接合柱结构接合到相应的焊料材料部分来将该第二接合单元附接到该第一接合单元。
界面倾斜接合组件及其形成方法

[发明专利]通过使用选择性沉积金属衬垫的混合晶片接合来形成的接合组件-CN202180006685.9在审
发明人：侯琳;P·拉布金;陈杨胤;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：包括自组装材料的成核抑制层可形成在接合介电层的表面上，而不会将该自组装材料沉积在第一半导体管芯的第一金属接合垫的物理暴露表面上。包括第二金属的金属衬垫可形成在该金属接合垫的该物理暴露表面上，而不会将该第二金属沉积在该成核抑制层上。通过在第二半导体管芯的该第一金属接合垫和该第二金属接合垫的配合对之间诱导金属到金属接合来将该第一半导体管芯接合到该第二半导体管芯。
通过使用选择性沉积金属衬垫混合晶片接合形成组件

[发明专利]包含氮化硅应力补偿区的半导体管芯及其制造方法-CN202080080026.5在审
发明人：吴晨;P·拉布金;陈杨胤;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在第一衬底上方形成第一半导体器件；在第一半导体器件上方形成第一电介质材料层；在第一电介质材料层中形成竖直凹陷部，使得竖直凹陷部中的每个竖直凹陷部从第一电介质材料层的最顶表面朝向第一衬底竖直地延伸；在竖直凹陷部中的每个竖直凹陷部中形成氮化硅材料部分；以及用激光束局部照射该氮化硅材料部分的第二子集。未用激光束照射的氮化硅材料部分的第一子集包括将拉伸应力施加到相应周围材料部分的第一氮化硅材料部分，并且用激光束照射的氮化硅材料部分的第二子集包括将压缩应力施加到相应周围材料部分的第二氮化硅材料部分。
包含氮化应力补偿半导体管芯及其制造方法

[发明专利]含有二维电荷载气沟道的铁电存储器器件及其制造方法-CN202080082464.5在审
发明人： P·拉布金;东谷政昭;A·卡利佐夫 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器器件，其包括二维电子气体沟道、栅极电极以及位于所述栅极电极与所述二维电子气体沟道之间的铁电元件。
含有二维荷载沟道存储器器件及其制造方法

[发明专利]包括界面电迁移阻挡层的接合衬垫及其制造方法-CN202080078566.X在审
发明人：吴晨;P·拉布金;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H05K3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种包括第一衬垫级介电层的半导体管芯，该第一衬垫级介电层嵌入第一接合衬垫并位于第一衬底上方。该第一接合衬垫中的每个第一接合衬垫位于该第一衬垫级介电层中的相应衬垫腔内。该第一接合衬垫中的每个第一接合衬垫包括：第一金属衬里，该第一金属衬里含有第一金属衬里材料并接触该相应衬垫腔的侧壁；第一金属填充材料部分，该第一金属填充材料部分嵌入该第一金属衬里中；和金属电迁移阻挡层，该金属电迁移阻挡层接触该第一金属填充材料部分并邻接该第一金属衬里。
包括界面迁移阻挡接合衬垫及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器中的位置相关阻抗减轻-CN201910879595.5在审
发明人： P·拉布金;K-H·金;M·席加施塔尼 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明题为“非易失性存储器中的位置相关阻抗减轻”。本发明提供了一种装置，该装置包括非易失性存储器单元串、连接到该串的第一组通路以及连接到该串的第二组通路。第一组通路具有取决于相应串的位置的第一阻抗。第二组通路具有第二阻抗。该装置还包括一个或多个控制电路，该一个或多个控制电路被配置为在非易失性存储器单元上的存储器操作期间补偿在第一组通路和第二组通路之间的位置相关阻抗失配。
非易失性存储器中的位置相关阻抗减轻

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