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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件-CN201710160474.6有效
发明人： J.鲍姆加特尔;O.布兰克;O.黑尔蒙的;R.K.约希;M.佩尔茨尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。
制造具有晶体管单元半导体器件方法以及

[发明专利]使用外延横向过生长来形成沟槽的方法和深垂直沟槽结构-CN201510062601.X有效
发明人： J.鲍姆加特尔;G.埃伦特劳特;C.格鲁贝尔;A.哈格霍费尔;R.K.约希;M.屈恩勒;M.佩尔茨尔;J.施泰因布伦纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及使用外延横向过生长来形成沟槽的方法和深垂直沟槽结构。在一方面中，在半导体材料中形成沟槽的方法包含在半导体衬底上形成第一电介质层。第一电介质层包含第一开口。外延层通过外延横向过生长工艺生长在半导体衬底上。第一开口被外延层填充并且外延层生长到第一电介质层的相邻部分上，从而第一电介质层的部分不被外延层覆盖并且在不被外延层覆盖的第一电介质层的部分之上在外延层的相对侧壁之间形成间隙。间隙限定在外延层中的延伸到第一电介质层的第一沟槽。
使用外延横向生长形成沟槽方法垂直结构

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201310527101.X有效
发明人： A.迈泽尔;M.佩尔茨尔;T.施勒泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件被至少部分地形成在半导体衬底中，该衬底包括第一和第二相对主表面。该半导体器件包括单元场部分和接触区域，该接触区域被电耦合到该单元场部分，该单元场部分包括至少晶体管。该接触区域包括与其它衬底部分绝缘且包括半导体衬底的一部分的连接衬底部分；与第二主表面邻近且与连接衬底部分接触的电极；和在第一主表面上设置的金属层，连接衬底部分被电耦合到金属层以在电极和金属层之间形成欧姆接触。连接衬底部分未通过在第一和第二主表面之间设置的导电材料而被电耦合到单元场部分的部件。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法-CN201310696160.X在审
发明人： S.莱奥芒;M.保卢奇;M.佩尔茨尔;M.H.菲莱迈尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法。实施例涉及与至少一个其它器件，例如功率晶体管或其它半导体器件集成的自举电路。在实施例中，自举电路可以包括自举电容器和自举二极管，或者自举电路可以包括自举电容器和自举晶体管。在实施例中，自举电容器包括基于半导体的电容器，与电解、陶瓷或其它电容器相对。在实施例中，自举电路与另一电路或器件（例如在一个实施例中的功率晶体管器件）的集成处于硅级，而不是作为传统方法的类模块的封装中系统。换句话说，自举电路元件和功率晶体管或其它器件的组合在实施例中形成硅上系统，或集成电路，并且另外可以被布置在单一封装中。
功率晶体管集成电路元件系统方法

[发明专利]沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法-CN201210214621.0有效
发明人： F.希尔勒;M.佩尔茨尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面和第二表面。所述半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体本体内的沟槽结构。所述沟槽结构包括在沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分。所述第一部分中的沟槽结构的宽度等于第二部分中的沟槽结构的宽度。所述半导体器件进一步包括在沟槽结构的侧壁处毗连第一和第二栅极介电部分的本体区。所述第一栅极介电部分的底部边缘与第一表面之间的距离d1和第二栅极介电部分的底部边缘与第一表面之间的距离d2满足50nm
沟槽晶体管制造方法

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