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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用带通过滤碰撞池执行高强度离子束的MS/MS以增强质谱分析鲁棒性的方法-CN202280013855.0在审
发明人： M·古纳;A·索诺克 -专利权人： DH科技发展私人贸易有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：在一个方面，公开了一种执行质谱分析的方法，包括：将多个离子引入质谱仪；选择前体离子的具有在第一期望范围内的m/z比的一部分以提供多个前体离子；使前体离子的至少一部分碎裂以产生多个产物离子；选择产物离子的具有在第二期望范围内的m/z比的一部分；以及对所选择的产物离子执行质量分析。
使用通过碰撞执行强度离子束 ms 增强谱分析鲁棒性方法

[发明专利]RF离子阱离子加载方法-CN201980055767.5在审
发明人： M·古纳 -专利权人： DH科技发展私人贸易有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：一种在质谱仪中处理离子的方法包括：将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，以使所述离子的至少一部分碎裂，其中，碰撞室被配置为约束具有大于所选定阈值的m/z比的离子(即，高m/z离子)。离子被从碰撞室释放并被引入下游分析仪离子阱中，以径向约束高m/z离子。碰撞室和分析仪离子阱被配置为约束具有低于所选定阈值的m/z比的离子(即，低m/z离子)。离子被引入碰撞室中并经历碎裂。碎片离子被从碰撞室释放并被引入分析仪离子阱中，因此为分析仪离子阱加载高m/z离子和低m/z离子二者。离子被从分析仪离子阱释放并由检测器进行检测。
rf 离子加载方法

[发明专利]RF离子阱离子加载方法-CN201980051420.3在审
发明人： M·古纳 -专利权人： DH科技发展私人贸易有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：在一方面中，公开了一种在质谱仪中处理离子的方法，该方法包括：将具有不同质荷(m/z)比的多种离子捕获在碰撞室中，按照m/z比的降序从碰撞室释放所述离子，并且在具有多个杆的质量分析仪中接收离子，该多个杆中的至少一个杆被施加RF电压，其中，随着释放的离子被质量分析仪接收，RF电压从第一值变化至较低的第二值。
rf 离子加载方法

[发明专利]由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层-CN200580035778.5有效
发明人： M·古纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种用于用铝硅酸盐前体形成高机械强度、低k值、层间介电材料使得铝容易地被结合到材料的硅基质中的方法，和一种包含一个或多个这样形成的高强度、低k值层间介电层的集成电路设备。
硅酸盐体形值介电层

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