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[实用新型]半导体器件结构-CN202020032116.4有效
发明人：穆罕默德·T·库杜斯;M·马德浩克卡 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型题为“半导体器件结构”。半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。
半导体器件结构

[实用新型]半导体器件结构-CN201920573186.8有效
发明人：穆罕默德·T·库杜斯;M·马德浩克卡 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型题为“半导体器件结构”。本实用新型提供的半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。
终端沟槽终端结构源区域半导体材料区域半导体器件结构本实用新型肖特基接触电介质层终端区域第一导电层电介质结构导电层电导电结构浮动结构区域设置电隔离源结构延伸

[实用新型]半导体器件-CN201920088612.9有效
发明人： M·马德浩克卡;穆罕默德·T·库杜斯;申益勋;斯科特·M·唐纳森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一主表面和第二主表面的半导体材料区域。沟槽结构包括从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中的沟槽，其中所述第一主表面限定剖视图中的第一水平平面。沟槽结构还包括设置在沟槽内并通过电介质区域与半导体材料区域分离的导电材料。肖特基接触区域邻近第一主表面设置在沟槽结构的相对侧上，所述肖特基接触区域具有位于剖视图中的第二水平平面上的上表面。电介质区域包括最上表面，并且被构造为使得最上表面的主要部分设置在剖视图中的第一水平平面上方。所述结构和方法提供了具有改善性能(例如，减少的泄漏和更稳定的击穿电压)和改善可靠性的半导体器件。
主表面半导体材料区域半导体器件沟槽结构水平平面上表面电介质区域肖特基接触本实用新型主表面延伸导电材料改善性能击穿电压泄漏邻近

[实用新型]半导体元件-CN201620781504.6有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;刘春利;P·文卡特拉曼;A·萨利赫;M·马德浩克卡;J·麦克唐纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体元件。一种半导体元件包括支撑件，具有包括装置接收区域的第一装置接收结构、包括漏极接触区域和第一互连第二装置接收结构，以及接触扩展部；第一引线；第一半导体芯片，具有第一表面和第二表面，其中第一栅极接合焊盘耦接到第一互连，漏极接合焊盘耦接到漏极接触区域，源极接合焊盘耦接到接触扩展部；第二半导体芯片，耦接到第一装置接收结构；第一电互连，耦接在第一半导体装置的栅极接合焊盘和第二半导体芯片的源极接合焊盘之间；以及第二电互连，耦接在第二半导体芯片的栅极接合焊盘和第一引线之间。根据本公开，可以提供改善的半导体元件。
半导体元件