“M·沙马”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果40个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电阻交叉点阵列中多比特存储单元的读操作-CN03145804.1有效
发明人： M·沙马;L·T·特兰 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：数据存储装置(110)包括存储单元(114)的电阻的交叉点阵(112)。每一个存储单元(114)包括串联的第一和第二电阻器件(10，20)。每一电阻器件具有可编程的第一和第二电阻状态。所述数据存储器件还包括多个第一、第二和第三导体(116)以及读出电路(126)。每一个第一导体(118)连接到第一磁阻器件(10，20)列的数据层；每一个第二导体(120)连接到第二磁阻器件(10，20)列的数据层；而每一个第三导体(116)位于第一和第二磁阻器件(10，20)行的参考层之间。在读操作期间，读电路(126)施加不同的第一和第二电压。第一电压加到与所选存储单元(114)交叉的第一和第二导体(120)，而第二电压加到与所选存储单元(114)交叉的第三导体(116)。
电阻交叉点阵列比特存储单元操作

[发明专利]透过覆层对隧道结器件的隧道阻挡层进行的紫外光处理-CN03155636.1无效
发明人： M·沙马;T·H·丹尼三世 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种用紫外光(30)透过隧道结器件(50)的一覆层(8)处理非导电隧道阻挡层(6)的方法。该方法包括用紫外光透过覆盖隧道阻挡层的至少一个覆层照射隧道阻挡层，以激活(a)设在隧道阻挡层内的氧或氮原子，使这些原子与隧道阻挡层的目标材料(11)起反应，从而形成一个均匀氧化或氮化隧道阻挡层，其中的缺陷(11，12，13)最少甚至没有，并且/或者有一个希望的击穿电压。紫外光(30)可以在形成覆层的过程之中或之后照射隧道阻挡层。加热(H)可以在照射步骤之前、之中或之后进行，以增加激活率并进一步减少缺陷。该方法可以用到包括磁场敏感存储器件如MRAM在内的任何隧道结器件(50)中。
透过覆层隧道器件阻挡进行紫外光处理

[发明专利]用于磁阻元件的铁磁层-CN03152518.0无效
发明人： M·沙马;J·H·尼克尔 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明披露了一种磁阻元件的铁磁层(316)，其包括晶体铁磁子层(316b)和非晶体铁磁子层(316a)。
用于磁阻元件铁磁层

[发明专利]共享的易失和非易失存储器-CN03136045.9无效
发明人： M·沙马;F·佩尔纳 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供存储器备份系统的设备和方法。存储器备份系统包括第一存储器单元[310]，和与该单元接口的非易失存储器单元[320]。控制电路允许数据被写入第一存储器单元[310]或非易失存储器单元[320]，和提供数据从第一存储器单元[310]和非易失存储器单元[320]中的一个向第一存储器单元[310]和非易失存储器单元[320]中的另一个的传输。
共享失和非易失存储器

[发明专利]每个存储单元具有多位的磁存储器件-CN03136378.4有效
发明人： L·T·特兰;M·沙马 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：数据存储器件(110)的存储单元(114)包括串联连接的第一和第二磁阻器件(10、20)。第一磁阻器件(10)具有第一和第二阻抗状态。第二磁阻器件(20)具有第三和第四阻抗状态。四种阻抗状态具有可检测的不同。
每个存储单元具有磁存储器

[发明专利]磁性存储器件和方法-CN03136044.0有效
发明人： M·沙马;L·T·特兰 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储器件和方法。在一个实施例中，本发明的磁性存储器件包括合成铁磁数据、软参考层和隧道层。合成铁磁数据层具有可指向第一取向和第二取向的磁矩。软参考层具有比合成铁磁数据层较低的矫顽力。隧道层具有被合成铁磁数据层和软参考层的磁矩取向影响的电阻特性。
磁性存储器件方法

[发明专利]多指示笔输入装置和实现方法-CN03136072.6无效
发明人： M·沙马 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G06K11/18 文献下载
摘要：公开一种计算机输入系统，它采用根据其手指位置(402－420)进行映射以便操作的手套式多指示笔装置(400)。输入系统还可包括例如采用磁随机存取存储器单元(106)的数字化仪输入板(100)。
指示输入装置实现方法

[发明专利]磁场检测传感器-CN03120146.6无效
发明人： M·沙马;F·佩尔纳 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G11B5/33 文献下载
摘要：本发明包括一种磁场检测传感器。磁场检测传感器包括具有第一检测层(220)和第一基准层(210)的第一磁性传感器(200)。具有第二检测层(222)和第二基准层(212)的第二磁性传感器(202)。第一磁性传感器(200)相对于第二磁性传感器(202)的物理取向使得由磁场检测传感器检测到的外部磁场会导致第一检测层(220)对第一基准层(210)的相对磁性取向与第二检测层(222)对第二基准层(212)的相对磁性取向相反。可以用一个差分放大器检测第一结传感器和第二结传感器的相对磁性取向。
磁场检测传感器

[发明专利]用在MRAM器件中的改进的二极管及其制造方法-CN03119976.3无效
发明人： M·沙马;L·T·特兰 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：公开了一种数据存储器件，其具有多个字线(26，28)、多个位线(20、22、24)和存储单元(40－50)的电阻交叉点阵列。每个存储单元连接到位线并连接到隔离二极管(88)，而隔离二极管进一步连接到相应字线。隔离二极管(88)提供从位线到字线的单向导电路径。每个字线提供与共享字线的每个二极管的公共金属－半导体接触件，因此每个二极管具有位于公共金属－半导体接触件的半导体部分和其相应的存储单元之间的分开的金属接触件。
mram 器件中的改进二极管及其制造方法

[发明专利]多位磁性存储器-CN03138497.8有效
发明人： M·沙马;T·C·安东尼;L·T·特兰 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种存储单元(8)包括用铁磁材料包覆的导体(34)；在包覆导体(14)的相对侧上的第一和第二间隔层(16、24)；在第一间隔层(16)上的第一数据层(12)；和在第二间隔层(24)上的第二数据层(22)。
磁性存储器

[发明专利]具有软基准层的磁阻器件-CN02132343.7有效
发明人： L·T·特兰;M·沙马 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-09-24 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁阻器件(10)包括具有不同矫顽磁性的第一和第二铁磁层(12和14)以及第一和第二层(12和14)之间的隔离层(16)。每个铁磁层(12和14)具有在两个方向中的任何一个取向的磁化。
具有基准磁阻器件

[发明专利]具有磁场衰减层的磁控电阻存储器件-CN03120147.4有效
发明人： M·沙马;T·C·安东尼;M·巴塔查里亚 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：这里公开一种电磁器件，例如是磁性存储器件(100)，其括用来限制、衰减或消除在边界处杂散磁场的装置，该杂散磁场会产生磁控电阻响应的偏移。所述器件包括第一导电层(108，112)和包括电－磁耦合到第一层的一衰减层(104)的衰减装置，以衰减电路操作过程中第一层(108，112)边界处的杂散边界磁阻偏移。
具有磁场衰减电阻存储器件

[发明专利]具有双隧道结的磁阻存储器件-CN03119964.X有效
发明人： M·沙马;L·T·特兰 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：公开了一种磁性存储器件，其包括在软参考层基础上的双隧道结单元(108，110)。
具有隧道磁阻存储器件

[发明专利]用于磁性存储装置的合成铁磁体参考层-CN03119936.4有效
发明人： M·沙马;L·T·特兰 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-03-06 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种用于磁性存储装置的合成铁磁体参考层(14)。此参考层(14)具有第一和第二磁性材料层(50，52)，它们可操作地沿第一和第二磁性取向被磁化。位于磁性材料层(50，52)之间的隔离层(16)的尺寸被适当地确定，以使磁性层(50，52)沿相反方向磁耦合。各磁性材料层(50，52)具有基本相同的矫顽磁性。
用于磁性存储装置合成磁体参考

[发明专利]集成的数字化写字板和显示设备以及操作方法-CN03100962.X无效
发明人： M·沙马 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：公开了一种集成的数字化写字板及显示设备200。该设备的数字化写字板部分100包括磁随机存取存储器(MRAM)单元212阵列，其中各MRAM单元212响应于外部施加的磁场112。各存储单元212具有在应用外部施加磁场时改变方向的磁位，以在将第二电场施加到阵列时根据位的方向产生电信号。显示器104包括像素单元216阵列，并且各像素单元216连接到MRAM单元212之一。MRAM单元212通过其产生的电信号激活像素单元216。因此，所实现的是一种集成的数字化写字板和显示器200，它具有不需要附加处理器而直接控制显示单元216的数字化单元212。
集成数字化写字板显示设备以及操作方法