专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]治疗肾病的方法-CN200780021923.3无效
  • R·J·罗曼;A·J·达利-弗农;M·沙马 - MCW研究基金会股份有限公司
  • 2007-06-12 - 2009-06-24 - A61K31/18
  • 本发明披露了预防和治疗人或非人动物肾病的方法。该方法包括将用量足以预防或治疗该肾病的20-HETE或20-HETE激动剂给予该人或非人动物。还披露了预防或治疗急性缺血性肾衰的方法,具体地说该方法包括将用量足以预防或治疗急性缺血性肾衰的20-HETE或20-HETE激动剂给予该人或非人动物。还披露了防止再灌注后离体保存的肾脏损伤或降低其严重性的方法。该方法包括将肾脏离体保存在含有20-HETE或20-HETE激动剂的保存溶液中,而所述20-HETE或20-HETE激动剂的含量足以防止再灌注后肾脏损伤或降低其严重性。
  • 治疗肾病方法
  • [发明专利]非易失性存储器并行处理器-CN200410045747.5无效
  • M·沙马;F·A·佩尔纳 - 惠普开发有限公司
  • 2004-05-24 - 2005-02-09 - G06F15/16
  • 本发明包括并行处理器。并行处理器包括多个非易失性存储单元[110、112、114、116]。并行处理器还包括多个处理器元件[120、122、124、126]。至少一个非易失性存储单元[110、112、114、116]和每个处理器元件[120、122、124、126]相对应。每个处理器元件[120、122、124、126]从至少一个对应的非易失性存储单元[110、112、114、116]中存取数据。处理器元件[120、122、124、126]对数据进行处理。非易失性存储单元[110、112、114、116]可包括磁存储单元[200]。
  • 非易失性存储器并行处理器
  • [发明专利]可调相变材料电阻器-CN200410030430.4无效
  • M·沙马;H·李 - 惠普开发有限公司
  • 2004-03-16 - 2005-02-02 - H01C10/00
  • 本发明包括一种集成可调电阻器。所述集成可调电阻器包括第一电极、第二电极、以及电连接到所述第一电极和第二电极的相变介质。所述集成可调电阻器还包括可调脉冲发生器,用于将可变量的能量加到相变介质上。相变介质的电阻连续地随加到相变介质上的能量数值而改变。与电阻相关的电路电连接到第一电极和第二电极。与电阻相关的电路的工作连续地随相变介质的电阻而改变。
  • 可调相变材料电阻器
  • [发明专利]光信号传输换能器-CN200310123380.X无效
  • M·沙马;M·K·巴塔查里亚 - 惠普开发有限公司
  • 2003-12-16 - 2004-10-20 - H04B10/02
  • 本发明包括光信号传输换能器。所述光信号传输换能器包括磁隧道结。所述磁隧道结可以调谐成对磁场的所选频率作出响应而转换状态。可以根据磁隧道结的状态来调制光源。光信号传输换能器的另一实施例包括光换能器,所述光换能器根据对已调制的光信号的接收而产生磁读出信号。光换能器可以与磁隧道结结合成整体。磁隧道结可以调谐成对所述磁读出信号的所选频率作出响应而转换状态。
  • 信号传输换能器
  • [发明专利]磁性传感器-CN200310123920.4无效
  • M·沙马 - 惠普开发有限公司
  • 2003-12-18 - 2004-10-06 - G11C11/15
  • 本发明包括磁性装置[300]。磁性装置[300]包括牵制层[310]。实施例还包括多个铁磁层[322、324、326],至少一个铁磁层与牵制层[310]相邻。分隔层[340]与至少另一个铁磁层相邻。感测层[330]与分隔层[340]相邻。磁性装置包括所形成的各铁磁层[322、324、326]的厚度,使是感测层[330]和铁磁层[322、324、326]之间的奈耳磁场与铁磁层[322、324、326]和感测层[330]之间的去磁磁场方向相反。
  • 磁性传感器
  • [发明专利]隧道结器件中隧道阻挡层的紫外光处理-CN03155635.3无效
  • M·沙马 - 惠普开发有限公司
  • 2003-08-29 - 2004-08-25 - H01L21/324
  • 本发明公开了一种处理隧道结器件(10)的隧道阻挡层(6)的方法。该方法包括用紫外光(30)照射隧道阻挡层(6)以激活(a)处于隧道阻挡层(6)内的氧或氮原子,使得这些原子与隧道阻挡层(6)的材料(11)起反应,从而形成一个均匀的氧化或氮化隧道阻挡层(6),其中的缺陷(11,12,13)非常少甚至没有,并且/或者具有所要求的击穿电压。紫外光(30)可以照射已经形成的隧道阻挡层(6)或者在隧道阻挡层(6)形成过程中对其进行照射。可以在照射之前、之中或之后进行加热(H),以增加激活率并进一步减少缺陷(11,12,13)。这种方法可应用到包括磁场敏感存储器件如MRAM在内的任何隧道结器件(10)中。
  • 隧道器件阻挡紫外光处理

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