“L·沙格特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]横向氮化镓超结-CN202211374332.7在审
发明人： J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉;L·沙格特;F·J·斯坦格沃德 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及横向氮化镓超结。横向GaN超结晶体管或开关器件，被配置为与其他基于GaN的开关器件相比具有更高的击穿电压和更低的导通电阻。横向GaN超结晶体管包括位于晶体管下方的基板中的重掺杂掩埋注入区(以下称为“掩埋注入区域”)，用作背场板(BFP)以控制或减少晶体管表面处的栅极‑漏极电场，从而使晶体管能够在更高的电压下工作，同时减少电荷捕获和击穿效应。横向GaN超结晶体管的操作类似于垂直硅超结FET，以使晶体管能够在比其他GaN或半导体器件更高的电压下操作，例如能够构建更快或更高功率的电子电路。
横向氮化镓超结

[发明专利]用于耦合电感器电路的技术-CN202110412695.4在审
发明人：梁鑫宇;J·保卢奇;L·沙格特 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本公开涉及用于耦合电感器电路的技术。一种节省空间的平面变压器可以包括：耦合电感器电路，所述耦合电感器电路可以包括金属芯体；第一平面绕组，所述第一平面绕组包含具有环绕金属芯体的第一柱的电路径的导电线圈；以及第二平面绕组，所述第二平面绕组配置为经由所述金属芯体与第一绕组磁耦合。第二平面绕组可以具有多个部分。第二绕组的一部分可以包括第一子部分，所述第一子部分包含缠绕在第一柱周围的单个U形平面导电迹线；和第二子部分，所述第二子部分包含缠绕在第一柱周围的单个U形平面导电迹线。第一子部分的布局可以被定向为与第二子部分的布局相反。
用于耦合电感器电路技术