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[发明专利]用化学蒸汽浸渗(CVI)制备的具有受控微结构的陶瓷基复合结构-CN202211238214.3在审
发明人： J.H.韦弗;G.S.科曼;K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及用化学蒸汽浸渗(CVI)制备的具有受控微结构的陶瓷基复合结构。根据本文中所述的方法，具有第一和第二预制层的多个预制层可关联在一起以限定预制件。预制件可经受化学蒸汽浸渗(CVI)过程以限定陶瓷基复合(CMC)结构。
化学蒸汽 cvi 制备具有受控微结构陶瓷复合结构

[发明专利]用于高温工作的制品-CN201580045747.1有效
发明人： K.L.卢思拉;万菊林;R.萨拉菲-诺尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B41/00 文献下载
摘要：本文提出了一种用于高温工作的制品。一个实施方案是包括具有含硅陶瓷基质复合材料的基材和布置在基材上的层的制品，其中所述层包括硅和掺杂剂，所述掺杂剂包含铝。在另一个实施方案中，所述制品包括陶瓷基质复合材料基材，其中所述复合材料包含含硅陶瓷和掺杂剂，所述掺杂剂包含铝；布置在基材上的粘结涂层，其中所述粘结涂层包含单质硅、硅合金、硅化物，或包含任何上述的组合；和布置在粘结涂层上的涂层，所述涂层包含硅酸盐(例如铝硅酸盐或稀土硅酸盐)、氧化钇稳定的氧化锆，或包含任何上述的组合。
用于高温工作制品

[发明专利]具有单峰孔径分布和低纤维体积分数的陶瓷基质复合物-CN202110061423.4有效
发明人： G.S.科曼;J.H.维弗;K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了陶瓷基质复合物制品（10），包括例如在具有单峰孔径分布的基质（30）中的纤维丝束（20）的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法（100）形成，例如，其包括提供成形预制件（110），该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件（120）以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透（130）以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
具有单峰孔径分布纤维体积分数陶瓷基质复合物

[发明专利]耐高温陶瓷基质复合材料及环境障碍涂层-CN202111398063.3在审
发明人： K.L.卢思拉;D.M.利普金;J.万 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及耐高温陶瓷基质复合材料及环境障碍涂层。高温机械部件，更特别是能在高温环境下工作的制品，包括例如燃气发动机的涡轮，可以由高温陶瓷基质复合材料形成，该高温陶瓷基质复合材料包括：含硅的陶瓷基材；包括含硅粘合涂层的环境障碍涂层体系；及位于该制品的基材和环境障碍涂层体系的硅粘合涂层之间的碳化物或氮化物的扩散阻碍层。该扩散阻碍层选择性地防止或减小硼和杂质从基材向环境障碍涂层体系的粘合涂层扩散。
耐高温陶瓷基质复合材料环境障碍涂层

[发明专利]具有单峰孔径分布和低纤维体积分数的陶瓷基质复合物-CN201710180235.7有效
发明人： G.S.科曼;J.H.维弗;K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了陶瓷基质复合物制品(10)，包括例如在具有单峰孔径分布的基质(30)中的纤维丝束(20)的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法(100)形成，例如，其包括提供成形预制件(110)，该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件(120)以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透(130)以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
具有单峰孔径分布纤维体积分数陶瓷基质复合物

[发明专利]陶瓷基质复合物制品和用于形成其的方法-CN201610106273.3有效
发明人： K.L.卢思拉;G.S.科曼;B.N.拉马默蒂 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：一种陶瓷基质复合物制品包括：具有游离硅比例的熔体渗入陶瓷基质复合物基底，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料；以及设置在基底的至少一部分的外表面上的基本上没有游离硅比例的化学汽相渗入陶瓷基质复合物外层，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料。
陶瓷基质复合物制品用于形成方法

[发明专利]高温陶瓷复合材料的预处理-CN201811424363.2在审
发明人： K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本申请提供了涂层部件及其形成方法。涂层部件可包括具有围绕陶瓷核心的Si‑处理层的陶瓷基质和在陶瓷基质的Si‑处理层上的环境屏障涂层。陶瓷核心可包括碳化硅，并且Si‑处理层可经预处理以使其表面性质适合于在Si‑处理层暴露于氧时，抑制或延缓碳氧化物的形成。
处理层预处理陶瓷核心陶瓷基质涂层部件环境屏障涂层表面性质高温陶瓷碳氧化物复合材料碳化硅延缓暴露申请

[发明专利]抗衰退陶瓷基质复合材料和环境阻挡涂层-CN201480016145.9有效
发明人： K.L.卢思拉;G.S.科尔曼 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：总体而言，本发明涉及包含含硅基材的抗衰退燃气涡轮发动机制品和相关的涂层和方法。特别是，本发明涉及包含涂有化学稳定的多孔氧化物层的硅基材的发动机制品。本发明还涉及包含基材和在顶部的粘结涂层的制品，所述粘结涂层包含互相连接的硅和互相连接的氧化物的两相层，随后是硅层。本发明还涉及包含在含硅基材中的氧化物的抗衰退制品，使得含硅基材的组分与分散在基材中的氧化物互相连接且形成抗衰退含硅制品的主体。
含硅基材互相连接氧化物衰退粘结涂层基材陶瓷基质复合材料燃气涡轮发动机多孔氧化物层化学稳定环境阻挡硅基材硅制品两相层硅层发动机

[发明专利]用于减少含硅材料中二氧化硅消退的方法和系统-CN201380066451.9有效
发明人： K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本公开涉及用于减少含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物的二氧化硅消退的方法和和系统，特别是暴露于燃烧气体或燃烧气体环境的那些，包括暴露于高温燃烧气体环境的那些。所述方法和系统包括由压缩空气去除水分，然后将处理过的压缩空气与燃烧气体共混合，使含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物对其暴露。
用于减少材料二氧化硅消退方法系统

[发明专利]抗凹陷陶瓷基体复合物和环境阻隔涂层-CN201480027420.7有效
发明人： K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： F01D5/28 文献下载
摘要：本公开总体上涉及抗凹陷燃气涡轮发动机制品，其包含含硅基材，和有关的涂层和方法。本公开尤其涉及一种发动机制品，其包含涂布有化学稳定多孔氧化物层的硅基材。本公开还涉及包含基材和在其上的粘结涂层，所述粘结涂层包含互连硅和互连氧化物的两相层，然后为硅层。本公开还涉及抗凹陷制品，其包含在含硅基材内的氧化物，使得含硅基材的组分与分散在基材内的氧化物互连并形成抗凹陷含硅制品的本体。
凹陷陶瓷基体复合物环境阻隔涂层

[发明专利]抗衰退陶瓷基质复合材料和环境隔离涂层-CN201480015769.9在审
发明人： K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本公开总体上涉及包括含硅基体的抗衰退燃气涡轮发动机制品和相关涂层及方法。本公开尤其涉及一种包括用化学稳定多孔氧化物层涂覆的硅基体的发动机制品。本公开还涉及一种制品，所述制品包括基体和在顶上的结合涂层，所述结合涂层包含互连硅和互连氧化物的双相层，随后是硅层。本公开还涉及一种抗衰退制品，该制品在含硅基体中包含氧化物，使得含硅基体的组分与基体中分散的氧化物互连，并形成抗衰退含硅制品的主体。
衰退陶瓷基质复合材料环境隔离涂层

[发明专利]用于保护高温机械构件的系统和方法-CN201210263394.0无效
发明人： P.J.梅施特;K.L.卢思拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： F01D5/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于保护高温机械构件的系统和方法。一种系统包括设置成限定气体通道的多个构件。至少一个构件包括在其上方设置涂层的含硅基底，并且涂层包括暴露于气体通道的抗凹入材料。硅源被设置成与气体通道流体连通且被构造成输送到气体通道，以在在涂层上方的气体通道中流动的气体中维持在从约1.8×10-4ppm至约1ppm的范围内的硅质量浓度。一种相关方法包括：在气体通道内引导燃烧气体流，该气体通道由多个构件限定，其中至少一个构件包括在其上方设置涂层的含硅基底，涂层包括暴露于气体通道的抗凹入材料；以及将含硅材料从硅源输送到气体流，硅源被设置成与气体通道流体连通以在涂层上方的气体流内维持在从约1.8×10-4ppm至约1ppm的范围内的硅质量浓度。
用于保护高温机械构件系统方法

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