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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于测试ISFET阵列的方法和装置-CN201710023469.0有效
发明人： J.博兰德;K.G.法伊夫;M.J.米尔格鲁 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试，无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中，本发明执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻，本发明执行第二试验，以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果，然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中，使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流，以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。
用于测试 isfet 阵列方法装置

[实用新型]抽吸设备-CN201721340733.5有效
发明人： J.M.法伊夫;K.G.法伊夫;A.苏里文;B.A.帕尔默 -专利权人：泰普奈克斯医疗有限责任公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： A47L7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抽吸设备，其包括第一层，所述第一层包括多个入口和表面特征；第二层，其中表面特征与第二层相对；出口和限定在第一层和第二层中的至少一个上的图案，其中所述图案限定从多个入口的每个入口到出口的抽吸路径。
第一层表面特征抽吸设备本实用新型抽吸路径图案限定出口图案

[发明专利]用于检测和测量化学反应和化合物的晶体管电路-CN201811073232.4在审
发明人： K.G.法伊夫 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本文描述了几种用于检测和测量化学反应和化合物的晶体管电路。在有些实施方案中，这样的晶体管电路包括可以用于检测和测量核酸测序反应的离子敏感的场效应晶体管(ISFET)。
晶体管电路化学反应测量检测场效应晶体管核酸测序反应离子敏感

[发明专利]抽吸设备-CN201710957981.2在审
发明人： J.M.法伊夫;K.G.法伊夫;A.苏里文;B.A.帕尔默 -专利权人：泰普奈克斯医疗有限责任公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： A47L7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种设备，其包括第一层，所述第一层包括多个入口和表面特征；第二层，其中表面特征与第二层相对；出口和限定在第一层和第二层中的至少一个上的图案，其中所述图案限定从多个入口的每个入口到出口的抽吸路径。
第一层表面特征抽吸路径抽吸设备图案限定出口图案

[发明专利]用于检测和测量化学反应和化合物的晶体管电路-CN201180041976.8在审
发明人： K.G.法伊夫 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本文描述了几种用于检测和测量化学反应和化合物的晶体管电路。在有些实施方案中，这样的晶体管电路包括可以用于检测和测量核酸测序反应的离子敏感的场效应晶体管(ISFET)。
用于检测测量化学反应化合物晶体管电路

[发明专利]具有轻度掺杂的排出装置的化学敏感的传感器-CN201180040544.5有效
发明人： K.G.法伊夫 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种具有轻度掺杂的区域的化学敏感的传感器，所述轻度掺杂的区域会影响化学敏感的传感器的栅和电极之间的重叠电容。所述轻度掺杂的区域在化学敏感的传感器的栅区域的下面且邻近地延伸。通过操纵在电极下面的轻度掺杂的区域，实现对化学敏感的传感器的增益的修改。
具有轻度掺杂排出装置化学敏感传感器

[发明专利]感测离子的电荷堆积电路和方法-CN201180042047.9有效
发明人： K.G.法伊夫 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：一种离子敏感的电路可以包括：电荷堆积装置（其用于堆积多个电荷包，作为流体离子浓度的函数）和至少一个控制和读出晶体管（以产生输出信号，作为堆积的多个电荷包的函数），所述输出信号代表溶液的离子浓度。所述电荷堆积装置可以包括：在第一电极半导体区域之上的第一电荷控制电极、在栅半导体区域之上且在离子敏感的钝化表面之下的电学浮动栅结构、在第二电极半导体区域之上的第二电荷控制电极、和排出装置扩散区域。所述第一控制电极可以响应于第一控制信号而控制电荷进入栅半导体区域。所述离子敏感的钝化表面可以构造成接收流体。
离子电荷堆积电路方法

[发明专利]用于测试ISFET阵列的方法和装置-CN201180041968.3有效
发明人： J.博兰德;K.G.法伊夫;M.J.米尔格鲁 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试，无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中，本发明执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻，本发明执行第二试验，以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果，然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中，使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流，以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。
用于测试 isfet 阵列方法装置

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