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[发明专利]金属螯合物以及其在高存储能力的光记录介质中的应用-CN200580014508.6无效
发明人： H·沃勒布;A·沃勒布;F·比尼沃尔德;B·施米德贺特;J·－L·布德里 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及含有特定新金属螯合物的新光记录介质，其尤其在300－500纳米波长范围具有优异的记录和回放品质。
金属螯合物及其存储能力记录介质中的应用

[发明专利]O－配合金属螯合物和其在具有高储存容量的光学记录介质中的用途-CN200480020916.8无效
发明人： F·比内瓦尔德;J·－L·布德里;B·施密德哈尔特;A·沃勒;H·沃勒 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C07C225/18 文献下载
摘要：本发明涉及新型光学记录材料，包含特定的和在某些情况下新的二酮烯胺或其金属螯合物和尤其在波长350－500nm下具有优异的记录和回放质量。本发明因此涉及一种包含基材，记录层和视需要反射层的光学记录介质，其中记录层包含具有结构式(I)的化合物，其中M是氢，铝或，优选，过渡金属，它可另外与一个或多个其它配体配合和/或，为了平衡掉过多电荷，如果合适，可具有与配位球内部或外部的一个或多个其它离子的静电相互作用，但结构式(Ib)和(Ic)中的M不是氢，Q是C－H，N或C－R⁶，C＝Q双键的立体化学可以是E或Z。关于R¹至R⁶的准确定义，应该参见说明书。还要求了新型化合物，尤其四配合螯合物，和其制备方法。
配合金属螯合物具有储存容量光学记录介质中的用途

[发明专利]具有高储存密度的光学记录材料-CN200480017910.5无效
发明人： B·施米德哈尔特;J·S·扎姆布尼斯;H·沃莱布;A·沃莱布;F·比内瓦尔德;J·－L·布德里;H·斯帕尼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： C09B47/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含基板、记录层和任选一个或多个反射层的光学记录媒质，其中记录层包含式(I)化合物。有关进一步的取代基的详细阐述，参见说明书。记录和读出是例如用蓝色激光在波长300－500nm进行的。记录和读出品质是极好的并且甚至在高速下能够提供高储存密度。
具有储存密度光学记录材料

[发明专利]氨基芳基－1,3,5－三嗪及其作为紫外吸收剂的应用-CN200480014356.5无效
发明人： T·舍弗;F·温德博恩;M·格斯特;P·哈尤兹;B·施米德哈特;J·－L·布德里 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： C07D251/22 文献下载
摘要：一种制备式Ⅰ’的氨基苯基三嗪的新方法，包括使相应的式Ⅰ”卤代苯基三嗪与式IX的胺反应，H－NR’₂R’₃，其中X是氯或者优选是氟，符号A、A’、R’₂、R’₃和R₄₄是如同权利要求1中定义的有机基团。此方法的产物及其衍生物可作为稳定剂和紫外吸收剂，用于保护有机材料免受光、氧和/或热的损害，或者作为光学记录介质中的记录染料，尤其是用来在使用波长短于450nm的激光辐射的记录层中写入或读出数字信息。
氨基及其作为紫外吸收剂应用

[发明专利]大容量光存储介质-CN200480009400.3无效
发明人： J·－M·亚当;P·埃施利曼;J·－P·巴赫尔;J·－L·布德里;U·莱曼;C·莫尔顿;B·施密德哈尔特;H·施帕尼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G11B7/247 文献下载
摘要：本发明涉及了包括基材、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括式[L₁M^r-4L₂]o[A^m－]p[Zⁿ⁺]q(I)、[L₁M^r－3L₃]o[A^m－]p[Zⁿ⁺]q(II)或[L₃Mr^－2L₄]o[A^m－]p[Zⁿ⁺]q(III)的化合物，或可使用的上述化合物的内消旋形式或者互变异构形式，其中L₁和L₂各自独立，和L₃和L₄各自独立；其中Q₁为CR₁或N，Q₂为O、S、NR₁₀或Q₅＝Q₈，Q₃是CR₃或N，Q₄是O、S、NR₁₀或Q₇＝Q₈，Q₅是CR₅或N，Q₆是CR₆或N、Q₇是CR₇或N，Q₈是CR₈或N，并且Q₉是O、S、NR₁₀或Q₆＝Q₈；M^r、A^m－、Zⁿ⁺、R₂和R₉如权利要求中的定义。
容量存储介质

[发明专利]具有高存储密度的光记录材料-CN200480005575.7无效
发明人： U·莱曼;P·萨特;B·施密德哈尔特;J·－L·布德里 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-02-23 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种光记录介质，它包含基材、反射层和基于通式(I)化合物的记录层，其中G₁和G₂彼此独立，A₁和A₂彼此独立地是N(R₁₂)、O、S或Se，而A₃是C(C₁～C₅烷基)₂、C(C₄～C₅亚烷基)、N(R₁₂)、O、S、Se、N＝C(R₁₃)或未取代的或者R₁₄－取代的CH＝CH；M₁是族IX～XII的过渡金属，优选Co、Cu、Ni、Pd或Zn，尤其是Co、Cu或Ni；Q₁和Q₂彼此独立地是C(R₁₅)、N或P……有关其它取代基的细节，参见正文。记录和回放尤其以350～500nm的波长，例如，采用蓝色激光实施的。记录和回放品质卓越并允许高存储密度。还公开通式(I)的新化合物，但J.Org.Chem.67/16，5753－5772中公开的化合物除外。
具有存储密度记录材料

[发明专利]由五环呫吨鎓染料组成的光学存储介质-CN03810473.3无效
发明人： C·莫尔顿;U·勒曼;P·格里沙伯;P·萨特;J·－L·布德里;B·施密哈特 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种由基底、反射层和记录层组成的光学记录介质，其中记录层由式(I)、(II)、(III)的化合物所组成，式中的R₁至R₁₃分别可以是氢或不同的取代基，而R₁和R₁₁不同时为氢；Y^m－是无机、有机和有机金属阴离子或者它们的混合物；Zⁿ⁺是质子和金属阳离子、铵阳离子或阳离子或它们的化合物；m，n和o各自分别表示1至3的整数；和p和q各自为0至4的数，o，p和q彼此的比例取决于有关的次级结构的电荷以使式(I)(II)或(III)没有多余的正和负电荷。另一发明点是在制备有有机金属阴离子的式(I)(II)或(III)的化合物时采用了高氯酸呫吨酯，而且在通过旋涂在刻了槽的基底上加染料层时使用了乳酸酯。
五环呫吨鎓染料组成光学存储介质

[发明专利]高性能光学存储介质-CN03811036.9无效
发明人： U·勒曼;P·埃施利曼;J·－L·布德里;B·施密哈特;C·莫顿 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括基层、反射层和记录层的光学记录介质，其中所述记录层包括下式的化合物：其中R₁到R₁₁可为氢或各种取代基，但是R₁和R₉并不同时为氢；Y^m－为无机、有机或有机金属阴离子，或它们的混合物；Zⁿ⁺为质子或金属、铵或鏻阳离子，或它们的混合物；m、n和o各自独立为1到3的整数；和p和q各为0到4的一个数，o、p和q的相互比率取决于相关的亚结构的电荷，以使式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷。本发明还公开了呫吨高氯酸盐在制备具有有机金属阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物中的用途，和乳酸盐在具式(I)、(II)或(III)的化合物的染料层通过旋涂施加到具槽基层上的用途。
性能光学存储介质

[发明专利]高储存密度光学记录材料-CN03802481.0无效
发明人： L·费勒;B·施密哈特;J·－L·布德里;U·莱曼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2003-01-20 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及包括基材、记录层和反射层的光学记录介质，其中所述记录层包括式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)的化合物或其互变异构体或其盐。其中各取代基的精确定义参见说明书。具体在350nm至500nm的波长范围内例如用蓝色激光进行记录和读出。记录和读出的质量优异并且具有高的储存密度。此外，还要求保护在380nm至440nm的范围内进行记录和读出的光学记录介质，该介质包括在300nm至400nm的波长范围具有最大吸收的化合物和式(IX)的化合物。
储存密度光学记录材料

[发明专利]包含金属络合物的可写的大容量光存储介质-CN02822638.0无效
发明人： C·莫顿;T·尤萨夫;J·－L·布德里;B·施密德－哈特;H·斯帕尼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2002-11-07 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含基材和记录层的光记录介质，其中记录层包含式(I)的络合物,或者，其中Q^2－是式(II)的配体或其互变异构体，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈彼此独立地为H、卤素、氰基、COOR₉、CONHR₉、CONR₉R₁₀、R₉、OR₉、SR₉、NHR₉或NR₉R₁₀，其中R₉和R₁₀彼此独立地为C₆－C₁₀芳基、C₄－C₉杂芳基或者直链或支链C₁－C₂₄烷基、C₃－C₂₄环烷基、C₂－C₂₄烯基、C₃－C₂₄环烯基、C₂－C₂₄炔基、C₁－C₁₂杂环烷基、C₁－C₁₂杂环烯基、C₇－C₂₄芳烯基或C₇－C₂₄芳烷基，每一个都可以是未取代的或者是取代的，对于R₁和R₂、R₃和R
包含金属络合物容量存储介质

[发明专利]金属茂基－酞青染料-CN99809479.X无效
发明人： H·沃莱布;A·沃莱布;B·施米德哈特尔;J·－L·布德里 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 1999-07-29 - 公布日： 2001-09-12 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：发现一种金属茂基－酞菁染料或其二价金属、氧代金属、卤代金属或羟基金属的金属络合物,其中酞菁染料的四个苯环的至少一个含有通过桥单元E被连接的至少一个的作为取代基的金属茂基,E是由选自－CH－2、－C(=O)－、－CH(C1－C4烷基)－、－C(C1－C4烷基)2－、－NH－、－S－、－O－和－CH=CH－中的至少为二原子或原子团的链组成的;还发现所说的新颖化合物的混合物,所说的混合物包括,特别是,异构体;还发现生产、使用包含所说的新颖化合物的记录介质的方法。
金属染料

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