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[发明专利]具有高储存密度的光学记录材料-CN200480017910.5无效
发明人： B·施米德哈尔特;J·S·扎姆布尼斯;H·沃莱布;A·沃莱布;F·比内瓦尔德;J·－L·布德里;H·斯帕尼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： C09B47/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含基板、记录层和任选一个或多个反射层的光学记录媒质，其中记录层包含式(I)化合物。有关进一步的取代基的详细阐述，参见说明书。记录和读出是例如用蓝色激光在波长300－500nm进行的。记录和读出品质是极好的并且甚至在高速下能够提供高储存密度。
具有储存密度光学记录材料

[发明专利]包含金属络合物的可写的大容量光存储介质-CN02822638.0无效
发明人： C·莫顿;T·尤萨夫;J·－L·布德里;B·施密德－哈特;H·斯帕尼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2002-11-07 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含基材和记录层的光记录介质，其中记录层包含式(I)的络合物,或者，其中Q^2－是式(II)的配体或其互变异构体，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈彼此独立地为H、卤素、氰基、COOR₉、CONHR₉、CONR₉R₁₀、R₉、OR₉、SR₉、NHR₉或NR₉R₁₀，其中R₉和R₁₀彼此独立地为C₆－C₁₀芳基、C₄－C₉杂芳基或者直链或支链C₁－C₂₄烷基、C₃－C₂₄环烷基、C₂－C₂₄烯基、C₃－C₂₄环烯基、C₂－C₂₄炔基、C₁－C₁₂杂环烷基、C₁－C₁₂杂环烯基、C₇－C₂₄芳烯基或C₇－C₂₄芳烷基，每一个都可以是未取代的或者是取代的，对于R₁和R₂、R₃和R
包含金属络合物容量存储介质

[发明专利]作为光记录介质的金属茂基酞菁-CN02808475.6无效
发明人： J·贝里希;R·布拉特纳;J－L·布德里;W·弗雷塔;C·莫尔顿;G·A·穆菲;B·施密德哈尔特;M·舒尔茨;H·斯帕尼;C·斯泰恩;A·沃勒布;H·沃勒布;R·策尔珀 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2002-04-09 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C09B47/24 文献下载
摘要：可以通过在催化剂存在下使包含两种酞菁(I)和(II)的混合物A与金属茂衍生物反应获得的金属茂基酞菁的混合物，以及低聚的金属茂基酞菁，其制备方法，其尤其用于光记录和光记录介质的用途。
作为记录介质金属茂基酞菁

[发明专利]可写可擦的高密度光学存储介质-CN98804413.7无效
发明人： H·斯帕尼;J·米祖古赤;B·施米德哈特;A·沃勒布;J·－L·杜德赖;G·吉勒 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 1998-04-17 - 公布日： 2000-05-10 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括基质和存储层的光学存储介质,其中存储层含有式(Ⅰ)或(Ⅱ)的化合物式中A和A’分别是未取代的或被一或二卤、羟基、C1－C6烷基、C1－C6烷氧基、氰基或硝基取代的苯基、吡啶基、吡咯基、咪唑基、呋喃基或噻吩基,需要时,这些基团可与苯环稠合,或是N－C1－C6烷基吡啶鎓基的卤化物、四氟硼酸盐或未取代的或被一或多卤取代的C1－C6烷基磺酸盐、苯磺酸盐、C1－C6烷基苯磺酸盐、C1－C6烷基硫酸盐或二C1－C6烷基膦酸盐,或未取代的或被一或二羟基取代的C2－C6烷基或C2－C6烯基,这些基的链可以是连续的或被一个或二个氧原子断开的,B和B’分别是2H、S、S2或SO2,和n和n’分别是1－4的数。本发明还涉及在波长400－700nm处用新的记录介质光学写入、存储、读出、修改或消除数据的方法,仅用连续激光辐射或仅用调制激光辐射光学写入、修改或消除数据的光学记录器,用机械力将式(Ⅰ)或(Ⅱ)的化合物从黑色形式转变为红色形式的方法,以及新的式(Ⅰ)或(Ⅱ)的化合物。
可写可擦高密度光学存储介质

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