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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器近接干扰管理-CN202010499319.9有效
发明人： J·L·麦克维伊;S·E·布拉德绍;J·埃诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器近接干扰管理。示范性方法、设备和系统包含管理存储器近接干扰的控制器。所述控制器响应于存取第二存储器位置而识别第一存储器位置，所述第一存储器位置存储第一值。所述控制器将第一干扰值更新第一量，所述第一干扰值表示通过存取靠近所述第一存储器位置的第一多个存储器位置对所述第一存储器位置中的所述第一值的累积干扰效应，所述第一多个存储器位置包含所述第二存储器位置。
存储器干扰管理

[发明专利]用于向量的存储器内关联处理-CN202211049741.X在审
发明人： S·S·艾勒特;A·D·艾卡尔;J·埃诺;B·希拉诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F13/12 文献下载
摘要：本申请案是针对用于向量的存储器内关联处理。装置可对第一向量的第一相连位集和第二向量的第一相连位集执行计算操作。所述第一相连位集可存储于存储器裸片的第一平面中，且所述计算操作可基于用于所述计算操作的真值表。所述装置可对所述第一向量的第二相连位集和所述第二向量的第二相连位集执行第二计算操作。所述第二相连位集可存储于所述存储器裸片的第二平面中且所述计算操作基于用于所述计算操作的所述真值表。
用于向量存储器关联处理

[发明专利]存储器内关联处理系统-CN202211054934.4在审
发明人： S·S·艾勒特;A·D·艾卡尔;J·埃诺;B·希拉诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F9/305 文献下载
摘要：本申请案是针对存储器内关联处理系统。一种设备可接收指示作为用于计算操作的操作数的第一向量和第二向量的指令集。所述设备可从向量映射方案集中选择用于使用关联处理执行所述计算操作的向量映射方案。所述设备可基于所述选择的向量映射方案，将所述第一向量和所述第二向量写入到各自包括内容可寻址存储器单元阵列的平面集。
存储器关联处理系统

[发明专利]可编程元数据-CN202210797184.3在审
发明人： S·S·艾勒特;J·埃诺;A·D·艾卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F12/0817 文献下载
摘要：本申请案涉及用于存储器的一或多个系统且更明确来说涉及可编程元数据。一种方法可包含接收指示用于存储元数据的存储器装置处的所述元数据的状态的转变的一组规则的信令。所述存储器装置可在接收到所述一组规则之后从主机装置接收与一组数据相关联的命令。所述存储器装置可部分基于所述一组规则及所述命令将与存储于所述存储器装置处的所述一组数据相关联的元数据从第一状态转变到第二状态。所述存储器装置可执行从所述主机装置接收到的所述命令。
可编程数据

[发明专利]基于指示避免有缺陷存储器单元-CN202111072066.8在审
发明人： J·埃诺;S·S·艾勒特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请案涉及基于指示避免有缺陷存储器单元。非易失性存储器组件可存储关于易失性存储器组件的主机装置将避免存取的所述易失性存储器组件的一或多个存储器单元的信息。所述一或多个存储器单元可例如有缺陷。所述装置可将对所述主机装置将避免存取的所述易失性存储器组件的所述一或多个存储器单元的指示的请求传输到所述非易失性存储器组件，且所述非易失性存储器可将此指示传输到所述主机装置。所述主机装置可制止从所述易失性存储器组件的所述一或多个存储器单元写入或读取。
基于指示避免缺陷存储器单元

[发明专利]用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术-CN202110918389.8在审
发明人： S·S·艾勒特;W·A·梅尔顿;J·埃诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请是针对用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术。例如存储器装置的设备可使用错误高速缓存来存储被识别为有缺陷存储器单元的指示，并且可使用所述所存储指示来加强错误校正程序。如果在从存储器阵列读取的数据中检测到一或多个错误，则所述设备可检查所述错误高速缓存，并且如果所述数据的位被指示为与有缺陷单元相关联，则所述位可反转。在此类反转之后，可再次检查所述数据的错误。如果反转校正错误，则所得数据可为无错误的，或可包含可使用错误校正方案校正的数量减少的错误。
用于存储器装置中的改进错误校正高速缓存技术

[发明专利]用于存储器装置的自适应奇偶校验技术-CN202110923797.2在审
发明人： J·埃诺;W·A·梅尔顿;S·S·艾勒特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储器装置的自适应奇偶校验技术。例如存储器装置的设备可使用一或多个错误校正码ECC方案、错误高速缓存或这两者来支持存取操作。所述存储器装置可从主机装置接收读取或写入数据的命令。如果所述错误高速缓存包含用于所述数据的条目，那么所述存储器装置可使用第一ECC方案读取或写入所述数据。如果所述错误高速缓存不包含用于所述数据的条目，那么所述存储器装置可在不使用ECC方案的情况下或使用不同于所述第一ECC方案的第二ECC方案来读取或写入所述数据。
用于存储器装置自适应奇偶校验技术

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