专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果10个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]使用卫星ADC在FPGA上进行根监视-CN202080062705.X在审
  • J·K·詹宁斯;B·法利;J·G·奥德怀尔 - 赛灵思公司
  • 2020-07-08 - 2022-04-15 - G01R31/3185
  • 公开了用于监视可编程器件的多个操作条件的系统和方法。在一些实施例中,所述系统可以包括根监视器,其包括被配置为生成参考电压的电路;分布在可编程器件上的多个传感器和卫星监视器;以及耦接到根监视器和多个卫星监视器中的每一个卫星监视器的互连系统。每个卫星监视器可以在多个传感器中相应的一个传感器附近,并经由局部互连耦接到所述相应的一个传感器。互连系统可以包括一个或多个模拟通道,其被配置为向多个卫星监视器中的每一个卫星监视器分配参考电压,并且可以包括一个或多个数字通道,其被配置为选择性地将来自多个卫星监视器中的每一个卫星监视器的数字数据作为数据包路由到根监视器。
  • 使用卫星adcfpga进行监视
  • [发明专利]集成电路中的动态元件匹配-CN201880047244.1有效
  • U·R·卡马斯;P·凯利;J·K·詹宁斯 - 赛灵思公司
  • 2018-05-30 - 2022-04-05 - G01K7/01
  • 一种示例的动态元件匹配(DEM)电路包括:多个双极性结型晶体管(BJT)(202),多个BJT的每一个BJT都具有耦接到电接地的基极端和集电极端;多个动力开关对(204),每一个动力开关对耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极;多个感测开关对(206),每一个感测开关对分别耦接到多个BJT中的分别一个BJT的发射极,每一个感测开关对中的第一开关耦接到第一节点(Vbe1),并且每一个感测开关对中的第二开关耦接至第二节点(Vbe2);第一电流源(208),其耦接到每一个动力开关对中的第一开关;以及第二电流源(210),其耦接到每一个动力开关对中的第二开关。
  • 集成电路中的动态元件匹配
  • [发明专利]用于在集成电路中实施充电/放电开关的电路和方法-CN201680023583.7有效
  • I·C·西卡尔;J·K·詹宁斯 - 赛灵思公司
  • 2016-03-22 - 2021-08-06 - H03K4/502
  • 描述了一种用于在集成电路中实施充电/放电开关的电路。该电路包括被耦接到第一节点(204)电源偏置路径(203),电源偏置路径向第一节点提供充电偏置电流;被连接在第一节点和电容(202)的第一端(202)之间的充电晶体管(206);被耦接在第一节点和接地电位(GND)之间的充电开关(250),充电开关使能电容通过第一节点充电;被连接在电容第一端和第二节点之间的放电晶体管(231);被耦接在第二节点(236)和参考电压之间的放电开关(270),放电开关使能电容通过第二节点放电;以及被耦接在第二节点和接地电位的接地偏置路径(232),接地偏置路径向第二节点提供放电偏置电流。同时还描述了一种在集成电路中实施充电/放电开关的电路的方法。
  • 用于集成电路实施充电放电开关电路方法
  • [发明专利]具有降低的栅致漏极泄漏电流的模拟开关-CN201680016468.7有效
  • I·C·西卡尔;J·K·詹宁斯;C·达尔布哈 - 赛灵思公司
  • 2016-03-15 - 2021-01-05 - H03K17/06
  • 公开了一种在一个实施例中的包括模拟开关的装置,该模拟开关具有在开关输入和开关输出之间与PMOS电路(204)并联的NMOS电路(202)。模拟开关(102)响应确定开关状态的使能信号。NMOS电路(202)包括耦接到缓冲N沟道晶体管的开关N沟道晶体管,开关N沟道晶体管的栅极耦接到使能信号且缓冲N沟道晶体管的栅极耦接到调制N沟道晶体管栅极电压。PMOS电路(204)包括耦接到缓冲P沟道晶体管的开关P沟道晶体管,开关P沟道晶体管的栅极耦接到使能信号的反相且缓冲P沟道晶体管的栅极耦接到调制P沟道栅极电压。控制电路(208)耦接到模拟开关(102)以提供调制N沟道和P沟道栅极电压,每个都可基于开关状态在相应的电源电压和GIDL降低电压之间变化。
  • 具有降低栅致漏极泄漏电流模拟开关
  • [发明专利]IC中的裸片内晶体管特性-CN201580053990.8有效
  • P·C·叶;J·K·詹宁斯;R·纳撒尼尔;N·庄;C·W·章;D·Y·钟 - 赛灵思公司
  • 2015-09-23 - 2018-08-07 - G01R31/3167
  • 在示例性的实施例中,一种集成电路(IC)(102),包括:多个晶体管(122),其被设置在所述IC的裸片上的多个位置(120)中;导体(124),其被耦接至所述多个晶体管中的每一个的端子;数模转换器(DAC)(108),其被耦接至所述导体,从而响应于数字输入以用电压信号驱动所述多个晶体管;以及模数转换器(ADC)(110),其被耦接至所述导体的至少一部分,从而响应于在所述多个晶体管中的响应于所述电压信号而感应的电流信号以生成采样,所述采样指示用于所述多个晶体管的至少一个静电特性。
  • ic中的裸片内晶体管特性
  • [发明专利]支持高于电源的电压的开关-CN201480038555.3有效
  • J·K·詹宁斯;I·C·西卡尔 - 赛灵思公司
  • 2014-07-11 - 2017-09-29 - H03K17/06
  • 公开了一种用于使输入(152)与输出(154)隔离的设备(100)。例如,设备(100)包括第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)和第一电路(182)。第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的源极被连接到设备(100)的输入(152)。第一电路(182)用于在使能信号(172)无效时,将设备的输入(152)上的信号传递到第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的栅极,并且在使能信号(172)有效时将地电压(192)传递到第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的栅极。
  • 支持高于电源电压开关

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top